Курсовая работа: Разработка магнитодиода

при 300 К, эВ

Удельное сопротивление

(собственное) при 300 К, Ом·см

Концентрация носителей n_i при 300 К

ТКЛР (300 К), К^-1

Коэффициент теплопроводности, Вт/ (м·К)

Диэлектрическая проницаемость έ

Плотность, г·см^-3

0,543

1683

420

1400

475

1,12

2·10⁵

1,45·10¹⁰

2,6·10^-6

140

11,6

2,3

0,566

1210

370

3900

1900

0,67

60

2,4·10¹⁸

,75·10^-6