Курсовая работа: Разработка магнитодиода
15,8
5,5
0,565
1511
670
8500
400
1,43
109
6·108
6,9·10-6
45
10,9
5,5
0,545
1640
1170
150
75
2,24
108
5,8·10-6
54
13,3
Наиболее перспективным полупроводниковым материалом для изготовления датчиков является арсенид галлия, который сохраняет работоспособность при более высоких температурах. В этом материале достаточно высокое значение постоянной Холла, что обусловливает хорошую чувствительность датчиков из GaAs. На основе GaAs возможно создание датчики, длительно работающих при температуре до 250 °С и кратковременно работающих при температуре до 300 °С. К важным достоинствам датчиков из GaAs относится также высокая линейность выходного сигнала по магнитной индукции (нелинейность не более 1-1,5%). [2]
Подвижность электронов GaAsпримерно в шесть раз выше, чем в кремнии. Именно это обстоятельство привлекло большие исследовательские силы к разработкам ИС на GaAs.
Эпитаксиальный GaAs пригоден для изготовления датчиков на рабочие температуры вплоть до 770 К [4]. Приборы на основе GaAs успешно работают при высоких уровнях радиации, т.е. обладают бóльшей устойчивостью к дозовым эффектам, чем кремниевые аналоги. Установлено, что интегральные схемы на GaAs выдерживают в среднем импульсы излучения до 1010 рад/с. [5]. Высокая подвижность носителей важна во всех СВЧ-приборах, а также магнитных датчиках. Так же арсенид галлия характеризуется широкоим диапозоном значений удельных сопротивлений в сравнении с классическими полупроводниками как германий и кремний (рис2.1). [1]
Рис.2.1 Диапазоны значений удельных сопротивлений различных полупроводников.