Курсовая работа: Разработка устройства лазерного дистанционного управления
Сначала рассчитаем сопротивление фотодиода (в трех случаях):
R ф1=Uфотодиода/I ф1=10 В/180 мкА=55.55 кОм,
R ф2=Uфотодиода/I ф2=10 В/0.15 мкА=66.66 МОм,
R ф3=Uфотодиода/I ф3=10 В/4200 мкА=2.3 кОм.
Ток через сопротивления Rф и R2, будет равен:
I=Uпит/(R ф+R2),
R2=1 МОм
I Rф1 и R2=12 В/(55.55 кОм +1МОм)=11.3 мкА,
I Rф2 и R2=12 В/(66.66 МОм +1МОм)=0.2 мкА,
I Rф3 и R2=12 В/(2.3 кОм +1МОм)=11.972 мкА.
Напряжение на сопротивлении R2 будет равно:
U21=I Rф1 и R2*R2=11.3 мкА*1МОм=11.3 В,
U22=I Rф2 и R2*R2=0.2 мкА *1МОм=0.2 В,
U23=I Rф3 и R2*R2=11.972 мкА *1МОм=11.972 В.
По выходной характеристике полевого транзистора КП501А рассчитаем значения напряжений при которых он открыт или закрыт.
В ключевых схемах ПТ управляется двумя уровнями Uзи: при одном он закрыт, а при другом открыт. В открытом состоянии рабочая точка обычно находится на крутом участке ВАХ для заданного Uзи.
На стокзатворной (входной) характеристике выбираем линейный участок и рабочую точку.
Рис. Входная характеричтика
Согласно характеристике:
Uзи min=3В,
Uзи max=4В.
Теперь на стоковой (выходной) характеристике отметим:
Напряжение питания Uпит.=12 В,
Uпит/Rн=12В/100 Ом=0.12 А.
Рис. .Выходная характеристика
Согласно характеристике:
При Uси=6 В транзистор открыт,