Курсовая работа: Разработка устройства лазерного дистанционного управления

Цепь R5-R6 представляет собой делитель напряжения.

Напряжение на ножке №1 микросхемы К561ТМ2 Uвых=7.2 В.

Ток через сопротивления R5 и R6, будет равен:

I=U/(R5+R6)

R5=100 Ом

R6=820 кОм

I=7.2/(100+820000)=8.779 мкА

I=8.779 мкА

Напряжение на сопротивлении R6 будет равно:

U6=I*R6

U6=8.779 мкА * 820 кОм=7.1 В

В ключевых схемах ПТ управляется двумя уровнями Uзи: при одном он закрыт, а при другом открыт. В открытом состоянии рабочая точка обычно находится на крутом участке ВАХ для заданного Uзи.

Т.к. напряжение на R5 составляет 0.1 В, заменим резистор R5 на резистор с большим сопротивлением так, чтобы на резисторе R6 было напряжение 4 В.

I=U/R6=7,2 В/820 кОм=4.8 мкА,

R5=U/I-R6=7,2В/4.8 мкА-820 кОм=656 кОм.

Рассчитаем мощность транзистора:

Р=U*I=4 В*4.8 мкА=19.2 мкВт.

Заключение

В данной работе представлены справочные материалы по:

- ФД256 (фотодиод),

- АЛ307ГМ (светодиод),

-К501А (полевой транзистор),

-IRF840 (полевой транзистор),

-К561ТМ2 (цифровая микросхема).

В данной работе были рассчитаны:

- Фототок фотодиода ФД256,

- Световой поток фотодиода ФД256,

- Световой поток светодиода АЛ307ГМ,

- Телесный угол светодиода АЛ307ГМ,

- Полный световой поток светодиода АЛ307ГМ,