Далее через интервалы времени, равные p/3, происходят включения следующих пар диодов: VD 2 -VD 4 , VD 3 -VD 5 , VD 5 -VD 1 . Таким образом, длительность прохождения тока через каждый диод составляет 2p/3, а остальное время он закрыт.

Поочерёдная работа пар диодов в схеме приводит к появлению на сопротивлении нагрузки R_d выпрямленного напряжения, состоящего из частей линейных напряжений, приходящих на вход выпрямителя.

Рис.3.

Диаграммы токов и напряжение рассматриваемой трёхфазной мостовой схемы выпрямления приведены на рис. 4.

Рис. 4. Диаграммы напряжений и токов выпрямителя

1.5.3 Регулятор напряжения

В данной системе используется регулятор на основе микроконтроллера, управляющего силовым транзистором по принципу ШИМ. Принципиальная схема управления показана на рис. 5.

Рис. 5. Принципиальная схема управления током обмотки возбуждения.

Как видно из схемы, на вход регулятора подаётся выпрямленное напряжение Ud с блока диодов. Затем снизившись до необходимого уровня на делителе напряжений R 12 -R 14 поступает на вход микроконтроллера DA 2 , который сравнивает его с заданным уровнем. Конденсатор С ₇ отвечает за продолжительность периодов ШИМ, а С ₈ вкупе с резистором R 16 – за стабильность питания микроконтроллера. Свой сигнал на включение обмотки возбуждения (ОВ) микроконтроллер создаёт путём подачи управляющего тока базы вспомогательного транзистора VT 4 , в следствии чего, потенциал затвора силового транзистора IRF 1 становится меньше потенциала истока, и он открывается. Время открытого состояния IRF 1 зависит от скорости вращения ротора генератора и подключённой нагрузки. Дабы уберечь силовой транзистор в момент закрытия от перенапряжения из-за ЭДС самоиндукции обмотки возбуждения, установлен обратный диод VD 7 .

Глава 2. КОМПЬЮТЕРНАЯ МОДЕЛЬ СХЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ ТОКОМ ВОЗБУЖДЕНИЯ ГЕНЕРАТОРА

2.1 Описание компьютерной модели

На рис. 6 изображена модель схемы управления током обмотки возбуждения. Вместо ШИМ контроллера DA2 установлен генератор импульсов V2, который создаёт периодические сигналы на открытие вспомогательного транзистора Q1, вследствие чего открывается силовой транзистор M1, замыкающий вывод обмотки возбуждения L1 на «массу». R3 – имитация сопротивления обмотки возбуждения. V1 – это источник постоянного напряжения 14 В, питающий обмотку возбуждения.

Рис. 6. Модель схемы управления током возбуждения.

Исходя из того, что в обмотка возбуждения имеет индуктивность L=66,2 мГн и активное сопротивление R=1,3 Ом, то постоянная времени переходного процесса Т=L/R=66,2/1,3=50,92 мсек. По правилам ТОЭ переходной процесс считается установившимся, если с момента его начала проходит (5 – 6)Т . В связи с этим убеждением, примерное время окончания переходного процесса 306 мсек, поэтому диаграммы будем строить на отрезке времени от 0 до 0,4 сек. Рассматривать будем 4главных состояния:

– Частота импульсов ШИМ f=25 Гц, скважность Q=0,25, рис. 7;

– Частота импульсов ШИМ f=25 Гц, скважность Q=1, рис.8;

– Частота импульсов ШИМ f=10 кГц, скважность Q=0,25, рис.9 (а, б);

– Частота импульсов ШИМ f=10 кГц, скважность Q=1, рис. 10 (а, б).

На рис. 7 – 10 изображены следующие осциллограммы сверху – вниз:

– Напряжение генератора импульсов;

– Ток эмиттера вспомогательного транзистора Q1;

– Напряжение исток – сток силового транзистора М1;

– Мгновенное и среднее значение тока в обмотке возбуждения.

Рис.7

Рис. 8

Рис. 9а

Рис. 9б

Рис.10а

Рис. 10б