Курсовая работа: Розрахунок електричних параметрів і характеристик польового транзистора з керуючим р-n-переходом

Національний університет

“Львівська політехніка”

Курсова робота

З курсу: “Фізика польових напівпровідникових приладів і компонентів інтегральних схем на основі МОН-структур ”

на тему: “Розрахунок електричних параметрів і характеристик польового транзистора з керуючим р-n-переходом ”

Виконав:

Перегинець І.І.

Прийняв:

п роф. Дружинін А.О .

Львів 2002

Завдання :

1 . Принципова відмінність польових транзисторів від біполярних.

2 . Намалювати сім’ю ВАХ і характеристик передачі.

3 . Які фізичні фактори відповідають за нелінійність ВАХ.

4 . Розрахувати опір ділянки кола стік-витік транзистора у відкритому стані при концентрації донорів в каналі Nd, акцепторів в р області Na, довжині каналу L, ширині-W і товщині-d.

5 . Який з параметрів польового транзистора характеризує йогопідсилювальну властивість врежимі малих сигналів? Визначити його максимальну величину.

6 . Від чого залежить ширина ОПЗ затворного р⁺ -n-переходу.Оцінити цю ширину.

7 . Дати визначення й розрахувати напругувідсікання.

8 . Чим зумовлена бар‘єрна ємність затворного р-n-переходу?

9 . Розрахувати вхідну ємність р-n-переходу.

10 . Які фізичні процеси обмежують діапазон робочих частот.

11 . Розрахувати максимальну робочу частоту транзистора

12 . Яку технологію можна використати при розробці транзистора.

Дані для розрахунку курсової роботи:

N_d =1·10²¹ (м^-3 )- концентрація донорів;

N_a =2·10²⁴ (м^-3 )-концентрація акцепторів;

L=15·10^-6 (м)- довжина каналу;

W=300·10^-6 (м)-ширина каналу;

d₀ =0,8·10^-6 (м)- віддаль між металургійними межами;

e=12,5-діалектрична проникливість кремнію;

e₀ = 8.85·10^-6 -діалектрична проникливість у вакумі;

m_n =0,14(м² /В×с)-рухливість електронів;

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--