S =187,3·10^{- 8} А/В=1.8мА/В

S- крутість характеристики

-контактна різниця потенціалів

ф_к =3,91*10^-2

K_u = 187,3·10^{- 7} /10^-3 = 174.259·10^-3

З характеристики крутості випливає, що для отримання вищих значень крутості характеристики необхідно мати менше значення опору каналу або більшу питому провідність вихідного матеріалу. В той же час концентрація домішки в каналі повинна бути невеликою, щоб при підвищенні зворотньої напруги на р-n-переході збіднений шар поширювався в бік каналу. Отже, отримання вищих значень крутості характеристики необхідно при виготовленні польового транзистора вибирати матеріал з вищою рухливістю носіїв заряду.Також крутість характеристики залежить від відношення ширини каналу W до його довжини.Тому відповідно для отримання вищої крутості характеристики потрібно мати мале відношення довжини каналу до його ширини, тобто короткий і широкий канал. Максимальна крутість при U_z =0.

6) Ширина просторового заряду

d_Н =0.95*10^-6 ×(1-(0.1/115.7*10^-3 )^1/2 )=56.05*10^-9 (м)

Ширина просторового заряду залежить від віддалі між металургійними межами, від напруги на затворі й напруги відсічки.

7)Напруга відсікання

??? ??????? ???????? ??????? ??????? U_z ???????? ??????? ?⁺ -n- ???????? ?????? ???? ????? d₀ - ?????? ????? ?????????? ??????. ?? ????????? ???????? ????? ????????? ??????? ??????????:

U_Bid =1.6·10^-19 × 4·10²¹ × (0,95×10^-6 )² / 8 × 8.85·10^-12 × 12.5 =1,019·10² (В)

8)Бар’єрна ємність визначається як відношення приросту заряду зумовлений зміною прикладеної напруги dU :

9)Польовий транзистор з керуючим р-n-переходом розглядаєм як різкий несиметричний р⁺ -n-перехід, для якого рахуєм барєрну ємність:

С_b = 38,52*10^-15 (ф)

10) Обмеження діпазону робочих частот

Максимальна частота, на якій МДН-транзистор можна вважати активним, визначається як частота на якій коефіцієнт підсилення за потужністю К_р дорівнює одиниці. Для реальних транзисторів гранична частота обмежується не вхідною ємністю, а часом прольоту електронів через провідний канал.

11) Максимальна робоча частота транзистора

? ??????? ????????? :

f_i = 10⁵ /2*3.14*12*10^-6 = 1,32*10⁹ (Гц)

При роботі на високих частотах необхідно мати малу ємність затвору, малу довжину каналу і використовувати прилади з каналом n-типу провідності, оскільки рухливість електранів є більшою, ніж рухливість дірок.

12)Технологія розробки транзистора

В сучасній технології виготовлення напівпровідників легування є одним з базових процесів виготовлення польових транзисторів з керуючим р-n- переходом. Неуклінне збільшення швидкодії і степеня інтеграції МДН-ІС, так і біполярних ІС досягається постійним зменшенням геометричних розмірів структур за рахунок удосконалення методів локальнаго легування .

Методи легування можна поділити на слідуючі групи: високотемпературна дифузія; іонна імплантація; радіаційно- стимульована дифузія.

Для кожної групи характерно використання спеціалізованого технологічного обладнання, забезпечуючого проведення процесу в строгоконтролюємому режимі.

Високотемпературна дифузія. Методи дифузії являються основними і найбільш розповсюдженими при легуванні напівпровідників.

Дифузія представляє собою обумовлений тепловим рухом переміщення в напрямку зменшення їх концентрації.

При дифузії в кристал розрізняють переміщення атомів даного твердого тіла. Швидкість дифузії залежить від градієнта концентрації атомів.

Радіаційно-стимульована дифузія. Цей метод дифузії оснований на введенні домішок в результаті бомбардування напівпровідникового кристалу легкими іонами з енергією, достатньою для зміщення атомів підкладки в міжвузля.

Висновок