Курсовая работа: Розрахунок номіналів компонентів електронних схем
Зміст
1. Підсилювальні каскади на біполярних транзисторах
1.1 Початкові дані
1.2 Методика розрахунку
1.3 Кінцеві схеми з вказаними номіналами елементів
2. Активні RC–фільтри нижніх частот
2.1 Початкові дані
2.2 Методика розрахунку
2.3 Кінцеві схеми з вказаними номіналами елементів
3. RC–генератори
3.1 Початкові дані
3.2 Методика розрахунку
3.3 Кінцева схема з вказаними номіналами елементів
Висновки
1. Підсилювальні каскади на біполярних транзисторах
1.1 Початкові дані
Рис 1.1 Підсилювальні каскади на біполярних транзисторах,,включені за схемою: а) з загальним емітером; б) з загальною базою
Табл. 1
| № Варіанту | Схема включення | fH, Гц | fв, кГц | Мн=Мв | RH, кОм | U2m, В | Тип транзистора |
| 1 | ЗЕ , ЗБ | 100 | 120 | 1,1 | 18 | 2 | МП39 |
Для даних схем включення і у відповідності з номером варіанта був вибраний транзистор МП39. Це германієвий сплавний транзистор p-n-p типу. Призначений для використання в каскадах підсилення напруги проміжної та низької частоти, імпульсних та інших пристроях радіоелектронної апаратури широкого використання. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими виводами.
Рис.1.1. Транзистор МП39
В таблиці 2 представлені основні характеристики вибраного транзистора.
Табл. 2. Основні характеристики транзистора МП39
| Параметри | Режим вимірювання | Значення параметрів |
| h21Э | Uкб=5 В, IЭ=1 мА, f=1 кГц , Θокр=200 С | 12 |
| IКБО, мкА | Uкб=5 В, Θокр=200 С | 15 |
| Θокр=700 С | ≤400 | |
| fh21Э, МГц | Uкб=5 В, IЭ=1 мА | 0.5 |
| h11Б ,Ом | Uкб=5 В, IЭ=1 мА, f=1 кГц | 25 |
| h22Б , мкСм | Uкб=5 В, IЭ=1 мА, f=1 кГц | 3,3 |
| Cк, пФ | Uкб=5 В, f=465 кГц | 60 |
| Iк доп, мА | Uкб=5 В, IЭ=1 мА, f=1 кГц , Θокр=200 С | 40 |
Табл.3. Гранично допустимі експлуатаційні дані транзистора МП39
| Параметри | Режим вимірювання | Значення параметрів |
| UКЭ max , B | RбЭ=200 Ом, Θокр =400 С | 15 |
| UКБ max , B | -600 С ≤Θокр≤400 С | 10 |
| IК max , мА | -600 С ≤Θокр≤700 С | 40 |
| IК нас max , мА | -600 С ≤Θокр≤700 С | 150 |
| IЭ нас max , мА | -600 С ≤Θокр≤700 С | 150 |
| PК max , мВт | -500 С ≤Θокр≤550 С | 150 |
| Θпер max , 0 С | - | 85 |
1.2 Розрахунок параметрів для схеми з ЗЕ
Транзистор обирається з вимоги забезпечення необхідної амплітуди вихідного сигналу 
і смуги пропускання 
при заданій вихідній напрузі та коефіцієнті частотних спотворень 
в області верхніх частот 
:
--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--