Курсовая работа: Створення мікропроцесорної системи обробки інформації

C_Q = m_C * C_QO + m_Р *C_I + C_m = 1 * 5 + 1 * 5 + 20 = 30 пФ

де I_QL , I_QH - вхідні струми логічного 0 і логічної 1 мікросхем навантаження ВІС ПЗП, C_QO - вихідна ємкість одного інформаційного виходу ВІС ПЗП, C_I - вхідна ємкість мікросхем навантаження ВІС ПЗП.

Отримані значення струмів не повинні перевищувати граничні значення для обраних мікросхем пам’яті.

Рис.7 Умовно графічне позначення ПЗП КР556РТ20

Найменування виводів:

A0 ÷ A9 - адресні входи.

D0 ÷ D7 - шина даних вводу/виводу.

CECS, CECS1 - вибір мікросхеми

Технологічні та електричні характеристики КР556РТ20:

Технологія - ТТЛШ

Організація - 1К×8

Час виборки, ns - не більш 65

Напруга живлення, V - 5

Струм живлення, мА - 180 мА

Вхідна напруга, V

при логічному 0 - min 2,4 - max 0,5

при логічній 1 - min 2,4 - max 0,5

Вихідна напруга, V

при логічному 0 - min 2,4 - max 0,5

при логічній 1 - min 2,4 - max 0,5

Вихід - 3 с.

Потужність споживання, mW - 875

Діапазон робочих температур, ºС - - 10 - +70

Початкові дані для мікросхеми КР556РТ18 2К8:

Кількість комірок зовнішнього ПЗП N_ОЗУ - 4К×8

Вхідні струми:

при логічному 0, I_IL - 0,25 мА

при логічній 1, I_IH - 0,04 мА