Курсовая работа: Усилитель мощности системы поиска нелинейностей
Расчет прямой по переменному току:
, 
,
, 
.
Найдем так же расчетную мощность цепи и мощность потребления:
Сведем результаты расчетов в отдельную таблицу и проведем сравнительный анализ двух схем.
Таблица 1.1 - Сравнительный анализ схем
| Параметр |  |  |  |  |  |
Схема с  | 53.2 В | 25.4 Вт | 74.9 Вт | 1.4 А | 18 В |
| Схема без | 18 В | 12.6 Вт | 12.6 Вт | 0.7 А | 18 В |
Из таблицы следует, что дроссельный каскад потребляет в несколько раз меньше, напряжение источника питания для него нужно небольшое, что выгодно отличает данную схему. В дальнейших расчетах она и будет использоваться.
Выбор транзистора осуществляется исходя из технического задания, по которому можно определить предельные электрические и частотные параметры требуемого транзистора. В данном случае они составляют (с учетом запаса 20%):[6]
Iк доп > 1.2*Iк0 =0.84 А
Uк доп > 1.2*Uкэ0 =21.6 В (1.8)
Рк доп > 1.2*Pрасс =15.2 Вт
fт = (3-10)*fв =(3-10)*250 МГц.
Этим требованиям с достаточным запасом отвечает широко распространенный транзистор КТ 934В, справочные данные которого приведены ниже [7]:
Iк =2 А
Uкэ =60 В
Pк =30 Вт
Fт = 960 МГц.
при 
1.3.3. Расчет эквивалентных схем транзистора КТ934В.
|
а) Модель Джиаколетто.
Модель Джиаколетто представлена на рис.1.7.
Рисунок 1.7 - Эквивалентная схема Джиаколетто.
Необходимые для расчета справочные данные:
, постоянная цепи обратной связи.
, статический коэффициент передачи тока базы.
, емкость коллекторного перехода.
Найдем при помощи постоянной времени цепи обратной связи сопротивление базового перехода нашего транзистора:[5]
(1.9)
Из справочных данных мы знаем, что при 
, а 
на 18В. Для того, чтобы свести параметры к одной системе воспользуемся формулой перехода:[1]
(1.10)
в нашем случае:
Теперь, зная все параметры, можно найти сопротивление:
, тогда 
Найдем значение коллекторной емкости в рабочей точке по той же формуле перехода:
Найдем значения оставшихся элементов схемы:
, где (1.11)
– паспортное значение статического коэффициента передачи,
– сопротивление эмиттеного перехода транзистора
Тогда 