Курсовая работа: Усилитель мощности системы поиска нелинейностей

Найдем оставшиеся параметры схемы:

(1.12)

(1.13)

(1.14)

б) Однонаправленная модель.[4]

Однонаправленная модель представлена на рис.1.8.

Рисунок 1.8 - Однонаправленная модель.

При определении значений элементов высокочастотной модели воспользуемся паспортными данными транзистора:[7]

(1.15)

где – входное сопротивление, – выходная емкость, – выходное сопротивление.В паспортных данных значение индуктивности.[7]

где – индуктивности выводов базы и эмиттера.

В результате получим:

1.3.4. Расчет схем термостабилизации транзистора КТ 934В.

Эмиттерная термостабилизация приведена на рис.1.9.[8]

Рисунок 1.9 Схема эмитерной термостабилизации.

Расчет номиналов элементов осуществляется исходя из заданной рабочей точки. Напряжение на эмиттере должно быть не менее 3-5 В (в расчетах возьмем 3В), чтобы стабилизация была эффективной.

Рабочая точка:

U_кэ0 = 18В,

I_к0 =0.7А.

Учтя это, получим:

, где , а коллекторный ток – , что было получено ранее, тогда: и 1.16)

Видно, что рассеиваемая мощность довольно велика.

Базовый ток будет в раз меньше коллекторного тока:

, (1.17)

а ток базового делителя на порядок больше базового:

(1.18)

Учтя то, что напряжение питания будет следующим:

, (1.19)

найдем значения сопротивлений, составляющих базовый делитель:

(1.20)

(1.21)

Схема активной коллекторной термостабилизации усилительного каскада приведена на рис.1.10.

Рисунок 1.10 – Схема активной коллекторной термостабилизации.

В качестве управляемого активного сопротивления выбран транзистор КТ361А со средним коэффициентом передачи тока базы 50.[9] Напряжение на

сопротивлении цепи коллектора по постоянному току должно быть больше 1 В или равным ему, что и применяется в данной схеме [4].

Энергетический расчет схемы:

. (1.22)

Мощность, рассеиваемая на сопротивлении коллектора:

. (1.23)

Видно, что мощность рассеивания на отдельном резисторе уменьшилась в три раза по сравнению с предыдущей схемой. Рассчитаем номиналы схемы:

(1.24)

Номиналы реактивных элементов выбираются исходя из неравенств:

(1.25)

Этим требованиям удовлетворяют следующие номиналы:

L=30 мкГн (R_н =25 Ом) и С_бл =0.1 мкФ (f_н =10 МГц).

Схема пассивной коллекторной термостабилизации приведена на рис. 1.11[8]

Рисунок 1.11 – Схема пассивной коллекторной термостабилизации.

В данной схеме напряжение на коллекторе должно изменяться в пределах от 5 до 10 В. Возьмем среднее значение– 7В.