Курсовая работа: Устройства функциональной электроники
Энергия связи осаждаемых атомов с пластиной ДGадс , как показано ранее, влияет на значения rкр и ДGкр . Поэтому для неоднородных поверхностей пластин, где ДGадс заметно изменяется от участка к участку, на различных участках пластины значения rкр и ДGкр различны, что сказывается на однородности осаждаемой пленки. Вот почему в технологии РЭА необходимо иметь подложки с однородной и чистой поверхностью.
Энергия адсорбции для некоторых металлов имеет следующие значения:
3. Рост пленок. Эпитаксия
В радиоэлектронике используются пленки, реальная толщина которых во многих случаях больше, чем высота купола критических и сверхкритических зародышей. Поэтому необходимо рассмотреть не только образование, но и развитие (рост) пленки после того, как она стала сплошной, т. е. после исчезновения островковой структуры. При этом следует определить:
1) степень влияния механизма образования зародышей на дальнейшую структуру пленки, а также на возникновение границ зерен, дефектов структуры: упаковки, двойниковых структур, вакансий, дислокаций и др.;
2) зависимость изменения или повторения образовавшейся структуры от механизма роста пленок и различных параметров состояния;
3) способы влияния на изменение структуры пленки с целью улучшения ее электрофизических свойств.
Осаждение монокристаллических пленок на монокристаллические пластины называют эпитаксией. В понимании механизма роста пленок эпитаксия играет большую роль.
Эпитаксиальная пленка когерентна со структурой пластины, т. с. повторяет эту структуру. Такая пленка может «наследовать» или «залечивать» дефекты пластины в зависимости от условий осаждения и ее обработки.
После того как получен первый сплошной слой пленки, следующий слой формируется независимо от структуры пластины. Рост отдельного агрегата на атомарном уровне может быть как эпитаксиальным, так и неэпитаксиальным. Для анализа механизма роста пленки воспользуемся моделью образования куполообразного зародыша, описанной в п.1.
Согласно уравнению (3.18) свободная энергия образования критического зародыша
При осаждении пленки на предыдущий слой того же материала можно принять ц = 0. Тогда f(ц) =0 и ДGкр = 0. Следовательно, энергетический барьер отсутствует. Поэтому конденсирующиеся атомы на поверхности пленки непосредственно встраиваются в структуру растущего слоя. В этом случае классическая модель образования зародышей макроскопических размеров не применима к образованию микроскопических (например, двухатомных или трехатомных) агрегатов. После возникновения на пластине сплошной пленки ее рост следует рассматривать с позиций роста кристаллов. Поверхность кристалла никогда не бывает идеально гладкой. На ней всегда имеются различные выступы, ямки, островки и другие неоднородности структуры (рис. 3.7). Механизм роста пленки включает в себя адсорбцию атомов из паровой фазы (преимущественно на гранях кристалла), поверхностную диффузию к ступеньке, взаимодействие со ступенькой, диффузию вдоль ступеньки и достраивание ступеньки. В зависимости от того, какое положение занимает адсорбированный атом на поверхности кристалла, число атомов, окружающих его, различно. Поэтому различна и энергия связи его с поверхностью кристалла, а следовательно, и энергия активации поверхностной диффузии.
Условия равновесия, которые существуют между различными положениями атомов (рис. 3.7), таковы:
где пi 1 , пi 2 , пi 3 , пi 4 — равновесные концентрации атомов соответствующего типа; рМе —давление пара осаждаемого компонента; х1 , х2 ,…, х10 — скорости движения атомов.
Скорости х5 — х10 , влияющие на рост пленки, можно найти следующим образом:
где b - длина ступеньки на единицу площади; v≈1013 с-1 —частота колебаний атомов, находящихся на поверхности пленки; ДG1→5 , ДG5→1 — свободные энергии диффузии атомов при переходе из положения 1 в положение 5 и обратно; Рн — вероятность данного направления движения атомов при их миграции по поверхности пленки (для плотно упакованных кристаллов Рн =1/6); Ко , Ki — число позиций атомов на единичной поверхности и длине ступеньки.
Таким образом, анализ роста пленки сводится к выявлению преобладающей стадии роста в тех или иных задаваемых условиях. Для случая, когда преобладает скорость поверхностной диффузии х6 , а скоростью диффузии вдоль ступеньки х4 можно пренебречь, уравнение диффузии для адсорбированных атомов примет вид
Где DS — коэффициент поверхностной диффузии; х — координата движения частицы.
Выражение (3.30) является кинетическим уравнением роста пленок.
Анализ роста монокристаллических (эпитаксиальных) пленок позволяет выявить кроме первичных дефектов структуры, вызванных условиями зарождения, и вторичные дефекты, появляющиеся в процессе роста,— дислокационные петли, дефекты упаковки и точечные дефекты. Часто встречающимися дефектами в пленках являются дислокации. Концентрация дефектов условно характеризуется плотностьюдислокации, измеряемой их числом на 1 см2 . Эта величина в эпитаксиальных пленках металлов достигает нередко значений 1010 —1011 см-2 . В полупроводниковых эпитаксиальных пленках, используемых в производстве ИМС, плотность дислокаций составляет 10—104 см-2 .
Причины появления дислокаций различны. Пленки формируются в процессе осаждения. Ранее осажденные слои могут покрываться последующими до того, как будет достигнуто термическое равновесие с предыдущим слоем. При этом в слой может попадать большое число вакансий. Процесс усугубляется, если температура пластин низкая. В этом случае тепловой энергии (конденсации) может не хватить для того, чтобы обеспечить миграцию атомов по поверхности. Поэтому атомы будут оставаться в тех местах, куда они попали при соударении с поверхностью. Поскольку их распределение носит случайный характер, они будут вносить разупорядоченность в структуру осаждаемой пленки. Степень разупорядоченности зависит от наличия примесей в пленке и на ее поверхности, а также от неоднородных поверхностных свойств предыдущего слоя, низкой температуры конденсации и т. п.