Курсовая работа: Устройство импульсного управления исполнительным двигателем постоянного тока

U _ном = 110 В

P _ном = 75 Вт

I _ном = 1,2 А

Отсюда можем найти

Исходя из U _ном и I _ном выберем транзистор VT2. Наиболее подходящим транзистором оказался: n-p-n транзистор КТ809А, который имеет следующие характеристики [7, стр.429]:

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ = 30

Обратный ток коллектора I_{K 0 max} = 3 мА

Постоянный ток коллектора I_K = 3 А

Постоянное напряжение эмиттер-база U _{БЭ max} = 4 В

Постоянный ток базы I _Б = 1,5 А

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер U _{КЭ max} = 400 В

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Р_{К max} = 40 Вт

Рабочая температура pn– перехода T_{n раб} = - 60 +125⁰ С

Максимальная температура перехода Т_{п max} = 150⁰ С

Зададимся значением Е_п , пусть Е_п = 110 В. Определим параметры схемы, необходимые для обеспечения режима насыщения транзистора.

Рисунок 8 - Выходные ВАХ транзистора КТ809А

Построим нагрузочную прямую по постоянному току. Далее имеем

При этом ток в коммутируемой цепи не зависит от параметра транзистора, а зависит только от параметров внешней цепи ( и ). Для обеспечения режима насыщения и крайнего верхнего положения рабочей точки необходимо в цепь базы транзистора подать соответствующий управляющий сигнал.

Минимальное значение тока базы должно быть не меньше . В общем случае:

Для реального тока базы должно выполнятся, условие, т.е. реальный ток базы больше или равен току насыщения базы. И, как правило, с целью повышения надежности работы транзисторного ключа при различных температурах, а также для удобства замены транзистора в случае выхода из строя, эти величины связывают через степень насыщения S . Но в нашем случае, т.к. мы используем схему на составных транзисторах, то достаточно задаться значением S , только для транзистора VT1, который будем рассчитывать далее. Значит для данного транзистора (VT2) будем иметь . Теперь из входных характеристик можно определить минимальное напряжение, которое необходимо подать на вход ключа для того, что бы перевести транзистор в режим насыщения.

Рисунок 9 - Входные ВАХ транзистора КТ809А

Как видно . Из расчетов для транзистора VT2 окончательно получаем,

, , .

В качестве транзистора VT1 используется транзистор КТ603А со следующими основными характеристиками [ 7, стр.317]:

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ = 80

Обратный ток коллектора(при Тс = -40⁰ ¸ +25⁰ С) I_{KO max} = 1 мкА