Рис. 10. Резистор МЛТ-0,125

5.4 Диоды

Основным элементом большинства полупроводниковых приборов является электронно-дырочный переход, представляющий собой переходной слой между полупроводниками различной проводимости. На границе перехода за счёт концентрации носителей образуется контактная разность потенциалов.

p-n переход обладает несимметричной электропроводностью, изменяемой электронной емкостью, сильной зависимостью тока от внешних параметров to, изменение полей.

В p-n переходе происходит диффузия основных носителей электронов из p-области в n-области. При этом возникает диффузионный ток:

Iдиф= Ipдиф- Inдиф,

его направление совпадает с направлением диффузий дырок.

Электрический заряд в кристалле перераспределяется, электронная нейтральность кристалла нарушается.

Диффузирующие основные носители рекомбинируют, в результате чего изменяется концентрация подвижных носителей. В приконтактном слое образуются заряды: в p-области отрицательные, в n-области положительные. В результате образуется двойной слой пространственного заряда, который называется запирающим. Запирающий слой может быть неоднородным из-за смещения нейтрали в сторону области с меньшей концентрацией примеси. Пространственные заряды образуют электрическое поле перехода с максимальной направленностью на границе изменения заряда.

Выпрямительные диоды работают на частоте 50-100 кГц (рис. 11), служат для преобразования переменного напряжения в постоянное (выпрямленное).

Рис. 11. Выпрямительный диод КД510А

Стабилитроны работают в режиме лавинного пробоя с балансом рассеиваемой мощности (рис. 12). Рабочая точка стабилитрона устанавливается таким образом, чтобы пересечение нагрузочной прямой на ВАХ с характеристикой стабилитрона приходилось на площадку стабилизации. В отличие от стабилитрона стабистор работает на прямой ветке ВАХ, в результате чего напряжения стабилизации стабисторов незначительны (порядка 0.7…1.8 Вольт).

Рис. 12. Стабилитрон КС515А

5.5 Транзисторы

Транзистор – сложный полупроводниковый прибор, использующий свойство нелинейности характеристик в области p-n перехода (рис. 13, рис. 14). Основное назначение транзистора в электронных схемах – усиление сигналов по току или по напряжению в зависимости от его включения. Биполярный транзистор имеет, в общем случае, 3 вывода – управляющий (база), и выводы непосредственно управляемого p-nперехода (коллектор и эмиттер).

Биполярные транзисторы характеризуются двумя p-n переходами, расположенными на одном кристалле.

Транзисторы бывают: корпусные и бескорпусные в зависимости от технологии изготовления.

Динамические характеристики транзисторов определяют режим работы транзистора, в выходной цепи которого имеется нагрузка , а на вход подается усиливаемый сигнал. Динамические режимы отличаются от статического сильным взаимным влиянием параметров транзистора и элементов схемы.

Рис. 13. Транзисторы КТ814В, КТ815В, КТ816Г, КТ817Г

Рис. 14. Транзисторы КТ825Г, КТ827А

6. Описание монтажной схемы

6.1 Печатная плата

При конструировании печатных плат используется четыре главных критерия выбора:

- габаритный критерий;

- критерий плотности рисунка и толщины проводящего слоя;

- критерий числа слоев;

- критерий материала основания.

По ГОСТ 23752-79 выбираем первый класс плотности рисунка печатной платы. Для данного класса плотности имеем:

- ширина проводника не менее 0.5 мм;