Используя это свойство, можно определять ориентацию кристаллической решетки тонких пленок, выращенных эпитаксиально. При наблюдении рамановского рассеяния в смешанных кристаллах, например в кристаллах AlxGa1-xAs, можно, разделив составляющие рассеяния с фононами, характерными для AlAs и для GaAs, определить постоянную х. Кроме этого, эффект Рамана позволяет оценить механические напряжения в поверхностном слое полупроводников и концентрацию носителей в них.

Вынужденное рамановское рассеяние использовали для создания рамановского лазера. Если мощным лазером с энергией квантов ωо облучать такие вещества, как, например, водород, кремний или бензол, и вызывать в них вынужденное рамановское рассеяние, то в спектре рассеяния присутствует стоксова состав.

8. Давление света

1. Давлением света называется механическое действие, производимое электромагнитными волнами при падении на какую-либо поверхность.

2. Согласно электромагнитной теории света давление спета объясняется возникновением механических сил, действующих на электроны, находящиеся на поверхности освещаемого тела, со стороны электрической и магнитной компонент поля световой волны. Электрическое поле световой волны вызывает колебания зарядов в поверхностном слое тела. Магнитное поле действует на эти заряды с лоренцевой силой, направление которой совпадает с направлением вектора Пойнтинга световой волны. Величина давления света, оказываемого на некоторую поверхность нормально падающим на нее параллельным пучком света, определяется абсолютной величиной вектора Пойнтинга.

3 Если Р - энергия электромагнитного излучения, падающего нормально на некоторую поверхность единичной площади за 1 сек, с - скорость распространения спетовой волны в вакууме, R - коэффициент отражения света поверхностью, то давление р света на эту поверхность равно:

Здесь - объемная плотность оперши электромагнит­ного излучения.

9. Химические действия света

1. Действие света на поглощающие его вещества может вызвать химические превращения веществ, называемые фотохимическими peaкциями.

2. Разложение под действием света сложных молекул на более простые или на отдельные составляющие их атомы называется фотохимической диссоциацией молекул (фотодиссоциация, фотолиз, фотораспад).

Фотодиссоциация становится возможной при частоте света , удов­летворяющей условию

где - граничная частота фотодиссоциации, D- энер­гия фотодиссоциации, которая обычно меньше энергии диссоциации основного состояния системы.

3. Для фотохимических реакций имеет место закон эквивалентности Эйнштейна: для каждого акта фотохимического превращения требуется один квант поглощенного света. Количество прореагировавших молекул связывается с энергией поглощенных квантов. Число N молекул вещества, претерпевших фотохимическое превращение при поглощении единицы энергии света:

N≈1/hυ=λ/hc

Масса прореагировавшего вещества М = Nm, где т - масса молекулы.

Литература

1. Кноль М., Эйхмейер И. Техническая электроника, т. 1. Физические основы электроники. Вакуумная техника. - М.: Энергия, 2001.

2. Мирошников М.М. Теоретические основы оптико-электронных приборов: учебное пособие для приборостроительных вузов. -- 2-е издание, перераб. и доп. - Спб.: Машиностроение,20033 -- 696 с.

3. Порфирьев Л.Ф. Теория оптико-электронных приборов и систем: учебное пособие. - Спб.: Машиностроение,20033 -- 272 с.