БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

кафедра ЭТТ

РЕФЕРАТ

на тему: «Действие света»

Минск, 2008

1. Фотоэлектрический эффект

1. Свет имеет двойственную, корпускулярно-волновую природу: с одной стороны, он обладает волновыми свойствами, обуславливающими явления интерференции, дифракции, поляризации, с другой стороны, представляет собой поток частиц – фотонов, обладающих нулевой массой покоя и движущихся со скоростью, равной скорости света в вакууме. Энергия W фотона и его импульс p для соответствующей ему электромагнитной волны с частотой и длиной волны в вакууме равны:

,

где h – постоянная Планка.

Фотон обладает спином .

2. Фотоэлектрическим эффектом (фотоэффектом) называется процесс взаимодействия электромагнитного излучения с веществом, в результате которого энергия фотонов передается электронам веществам. Для конденсированных систем (твердых и жидких тел) различают внешний фотоэффект, при котором поглощение фотонов сопровождается вылетом электронов за пределы тела, и внутренний фотоэффект, при котором электроны, оставаясь в теле, изменяют в нем свое энергетическое состояние. В газах фотоэффект состоит в ионизации атомов или молекул под действием излучения (фотоионизация). Из закона сохранения энергии следует уравнение Эйнштейна или внешнего фотоэффекта:

где - работа выхода электронов, - потенциал выхода, - максимальная кинетическая энергия фотоэлектронов, - энергия фотонов.

Особым видом фотоэффекта является поглощение фотонов жестких гамма-лучей атомными ядрами, сопровождающееся вылетом из ядер составляющих их нуклонов (ядерный фотоэффект).

3. В кристаллических полупроводниках и диэлектриках помимо внешнего фотоэффекта наблюдается внутренний фотоэффект (фотопроводимость), заключающийся в увеличении электропроводности этих веществ за счет возрастания в них числа свободных носителей тока ( электронов проводимости и дырок). При энергии фотона , где - энергия активации проводимости в беспримесных веществах (разность между энергиями на нижнем уровне зоны проводимости и верхнем уровне валентной зоны), может происходить переброс электрона из заполненной валентной зоны в зону проводимости. называется красной границей фотопроводимости.

4. Вентильный фотоэффект (фотоэффект в запирающем слое) состоит в возникновении электродвижущей силы вследствие внутреннего фотоэффекта вблизи поверхности контакта между металлом и полупроводником или двумя полупроводниками и типа. Такой контакт имеет одностороннюю проводимость, связанную с обеднением слоев полупроводников, прилегающих к поверхности контакта, носителями тока (электронами проводимости и дырками). Внутренний фотоэффект в полупроводниках вызывает нарушение равновесного распределения носителей тока в области контакта и приводит к изменению контактной разности потенциалов по сравнению с равновесной, т.е. к возникновению фотоэлектродвижущей силы (фото-э. д.с.). Величина фото-э. д.с., возникающая под действием монохроматического света, пропорциональна его интенсивности. Красная граница вентильного фотоэффекта определяется величиной . Вентильный фотоэффект в переходе представляет непосредственное преобразование энергии электромагнитного излучения в энергию электрического тока. Это явление используется в фотоэлектрических источниках тока (кремниевые, германиевые и другие фотоэлементы).

2. Эффект Комптона

1. Эффектом Комптона называется изменение частоты или длины волны фотонов при их рассеянии электронами и нуклонами. Эффект Комптона отличается от фотоэффекта тем, что фотон передает частицами вещества свою энергию не полностью. Частными случаями эффекта Комптона являются рассеяние рентгеновских лучей на электронных оболочках атомов и рассеяние гамма-лучей на атомных ядрах.

2. Рассеяние фотона на свободном электроне можно рассматривать как процесс их упругого столкновения. Рассмотрение обычно проводится в лабораторной системе координат, в которой электрон вначале полагается покоящимся, а после столкновения – движущимся со скоростью , не малой по сравнению со скоростью налетающего фотона. Из закона сохранения энергии:

,

где и - длины волн, соответствующие первичному и вторичному (рассеянному) фотонам, - масса покоя электрона, - релятивистская масса электрона, и из закона сохранения импульса при столкновении:

,

где - угол между направлениями первичного и рассеянного фотона. С учетом закона сохранения импульса при столкновении,

получается следующая зависимость для изменения длины волны при комптоновском рассеянии:

Величина называется комптоновской длиной волны для электрона.

Формула Комптона для частоты фотона после рассеяния:

,

где - энергия первичного фотона в единицах энергии покоя электрона.

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--