Реферат: Детектирование амплитудно-модулированных сигналов

Входной сигнал имеет вид:

Где - амплитуда и частота несущего колебания, m – глубина модуляции, W - частота модулирующего сигнала.

Задание :

1.Найти значения сопротивления R_н и ёмкости С_н в цепи нагрузки коллекторного детектора, при которых коэффициент детектирования равен единице, если крутизна транзистора S=10 mA/В, частоты несущего и модулирующего колебаний равны w₀ =10⁶ рад/сек, W=10⁴ рад/сек соответственно.

2.Изобразить спектральные диаграммы входного и выходного сигналов коллекторного детектора с указанием амплитуд и частот всех спектральных составляющих. Амплитуду несущего колебания и глубину модуляции считать равными U_m =0,1 В, m=0,5.

3.Найти значения сопротивления R_н и ёмкости С_н в цепи нагрузки диодного детектора, при которых коэффициент детектирования равен 0,9, если крутизна транзистора S=10 mA/В, частоты несущего и модулирующего колебаний равны w₀ =10⁶ рад/сек, W=10⁴ рад/сек соответственно.

4.Изобразить спектральные диаграммы входного и выходного сигналов диодного детектора с указанием амплитуд и частот всех спектральных составляющих. Амплитуду несущего колебания и глубину модуляции считать равными U_m =0,1 В, m=1.

3.РАСЧЁТ ЦЕПИ НАГРУЗКИ КОЛЛЕКТОРНОГО ДЕТЕКТОРА

Найти значения сопротивления R_н и ёмкости С_н в цепи нагрузки коллекторного детектора, при которых коэффициент детектирования равен единице, если крутизна транзистора S=10 mA/В, частоты несущего и модулирующего колебаний равны w₀ =10⁶ рад/сек, W=10⁴ рад/сек соответственно.

На рис.3 приведена схема коллекторного детектора амплитудно-модулированных сигналов. В данной схеме резистор R_н образует делитель напряжения Е_пит и задаёт постоянную составляющую напряжения базы транзистора, а разделительный конденсатор С_н имеет большую ёмкость и предназначен для разделения источника питания транзистора Е_пит и источника входного сигнала по постоянному току. Параллельная RC-цепь используется в качестве нагрузки, она состоит из конденсатора емкостью С_н и резистора R_н .

Входной сигнал будет иметь вид:

(1)

где U_m , w₀ – амплитуда и частота несущего колебания, m – глубина модуляции, W - частота модулирующего сигнала .

Коэффициент детектирования коллекторного детектора определим из выражения:

К_д =0,318*S*R_н , (2)

где S – крутизна транзистора.

Величину сопротивления в цепи определим из выражения (2):

R_н =1/(0,318*S*К_д )

Подставляя данные, получим:

R_н =1/(0,318*0,01*1)=314 (Ом)

Сопротивление R_н и ёмкость С_н в цепи нагрузки коллекторного детектора должны удовлетворять условию:

1/w₀ <<R_н *С_н <<W₀ , (3)

где w₀ – частота несущего колебания, W₀ - частота модулирующего колебания.

Используя соотношение (3) выберем ёмкость С_н в цепи нагрузки:

1/1000000<<314*С_н <

314*С_н =0,000001,

С_н =3,18*10^-9 Ф=3,18 (нФ) .