Реферат: Дифференциальный усилитель

Расчётную ширину определяем из bрасч³max(bтехн, bточн,bр),

bточн³(Db+Dl/Кф)/d0кф,

bр=( Р/(Р0*Кф))^2.

За ширину резистора-b принимают ближайшее значение к bрасч, округлённое до целого числа, кратного шагу координатной сетки.

bр1,3,5=0.375мм, bтехн=0.1мм, bточн=0.8мм, значит b1,3,5=0.8мм.

Расчётная длина резистора lрасч=b*Кф. За длину резистора принимают ближайшее к lрасч, кратное шагу координатной сетки значение.

Полная длина напыляемого слоя резистора lполн=l+2*lк. Таким образом lрасч=1.066мм, а lполн=1.466, значит l1,3,5=1.5мм.

Рассчитаем площадь, занимаемую резистором S=lполн*b. S1,3,5=1.2мм^2.

Аналогичным образом рассчитываем размеры резистора R6.

b6=0.7мм, lполн=1.75мм, S=1.225мм^2.

Для резисторов, имеющих Кф<1, сначала определяют длину, а затем ширину.

lточн2=0.736мм, lр2=0.417мм, значит l2=0.75мм.

bрасч=l/Кф, bрасч2=1.25мм, S=0.9375мм^2.

Аналогично рассчитываем R4/

lточн=0.72мм, lр=0.25мм, l4=0.75мм.

b4=1.35мм, S=1.0125мм^2.

Резисторы спроектированы удовлетворительно, т.к.:

1) удельная мощность рассеивания не превышает допустимую

Р01=Р/S£Р0;

2) погрешность коэффициента формы не превышает допустимую

d0кф1=Dl/lполн+Db/b£d0кф;

3) суммарная погрешность не превышает допуск

d0r1=d0rŠ+d0кф+d0rt+d0rст+d0rк£d0r.

3. Выбор подложки.

В качестве материала подложки мы уже выбрали ситалл.

Площадь подложки вычисляют из соотношения

Sподл=(Sr+Sc+Sk+Sн)/Кs,

где

Кs-коэффициент использования платы (0.4....0.6);

Sr-суммарная площадь, занимаемая резисторами;

Sc-общая площадь, занимаемая конденсаторами;