Реферат: Дифференциальный усилитель

Sн-общая площадь, занимаемая навесными элементами.

Sподл=86.99мм^2.

Выбирем подложку 8´10мм. Толщина-0.5мм.

4. Последовательность технологических операций.

1. Напыление материала резистивной плёнки.

2. Напыление проводящей плёнки.

3. Фотолитография резистивного и проводящего слоёв.

4. Нанесение защитного слоя.

5. Крепление навесных компонентов.

6. Крепление подложки в корпусе.

7. Распайка выводов.

8. Герметизация корпуса.

Площадки и проводники формируются методом свободной маски.

Защитный слой наносится методом фотолитографии.

5. Выбор корпуса ГИС.

Для ГИС частного применения в основном используется корпусная защита, предусматриваемая техническими условиями на разработку. Выберем корпус, изготавливаемый из пластмассы. Его выводы закрепляются и герметизируются в процессе литья и прессования.

Размеры корпуса (габаритные) 19.5мм´14.5мм, количество выводов–14, из них нам потребуется 10.

6. Оценка надёжности ГИС.

Под надёжностью ИМС понимают свойство микросхем выполнять заданные функции, сохраняя во времени значения установленных эксплуатационных показателей в заданных пределах, соответствующим заданным режимам и условиям использования, хранения и транспортирования.

Расчёт надёжности ГИС на этапе их разработки основан на определении интенсивности отказов-l(t) и вероятности безотказной работы-Р(t) за требуемый промежуток времени.

1. Рассчитаем l по формуле:

li=ai*Ki*l0i,

где l0i-зависимость от электрического режима и внешних условий,

ai=f(T,Kн)-коэффициент, учитывающий влияние окружающей температуры и электрической нагрузки,

Кi=K1-коэффициент, учитывающий воздействие механических нагрузок.

Воздействие влажности и атмосферного давления не учитываем, т.к. микросхема герметично корпусирована.

Для расчётов рекомендуются следующие среднестатистические значения интенсивностей отказов:

– навесные транзисторы l0т=10^-8 1/ч;

– тонкоплёночные резисторы l0R=10^-9 1/ч;

– керамические подложки l0п=5*10^-10 1/ч;

– плёночные проводники и контактные площадки l0пр=1.1*10^-91/ч;

– паяные соединения l0соед=3*10^-9 1/ч.

Коэффициенты ai берём из таблиц, приведённых в справочных материалах.