Радиоэлектроника / Реферат: Электроника

Реферат: Электроника

Электронно-дырочный p-n переход.

Работа всех диодов, биполярных транзисторов основана на p-n переходе

Рассмотрим слой 2^х Ge с различными типами проводимости.

Обычно переходы изготавливают несемметричными p_p >> << n_n

Если p_p >> n_n то p-область эмитерная, n- область- база

В первый момент после соединения кристаллов из-за градиента концентрации возникает диффузионный ток соновных носителей.

На границе основных носителей начнут рекомбинировать, тем самым обнажаться неподвижные ионы примесей.

Граничный слой. Будет обеднятся носителями заряда => возникнет внутреннее U. Это U будет препятствовать диффузионному току и он будет падать. С другой стороны наличие внутреннего поля обусловит появление дрейфого тока неосновных носителей. В конце концов диффузионный ток станет = дрейфовому току и суммарный ток через переход будет = 0

U _{контакта} ≈ j_т ln((Pp₀ )/(np₀ ))

j_т ≈25мB температурный потенциал при 300 К

U_к =0,6-0,7В Si;0,3-0,4В Ge.

Различают 3 режима работы p-n перехода:

1) Равновесный (внешнее поле отсутствует)

2) Прямосмещенный p-n переход.

В результате U_вн падает =>возникает диф. ток электорнов I=I₀ e^U/m ^j ^т

m ≈ 1 Ge

2 Si I₀ тепловой ток.

I обусловлен основными носителями зарядов. Кроме него ток неосновных носителей будет направлен встречно.: I= I ₀ (e ^U/m ^j ^т -1)

3)Обратно смещенный p-n переход I- обусловлен токами неосновных носителей I=- I₀

ВАХ p-n перехода

Емкости p-n переходов.

Различают: -барьерную, -диффузионную.

Барьерная имеет место при обратном смещении p-n перехода. Запирающий слой выступает как диэлектрик =>конденсатор e=f(U) Эта емкость использована в варикапах.

C ≈1/√U

Диффузионный ток имеет место при прямом смещении p-n перехода C _д = dQ _изб /dU

Реальные ВАХ p-n переходов.

Отличаются от идеальных след. образом:1)Температурная зависимость