Реферат: Электроника

r к≈100 Ом r э=dUбэ/dIб | Uк- const

r э=2jt/Iэ⁰ =(Si)≈50мВ/ Iэ⁰

r* к=dUкэ/dIк | Iб- const ≈100кОм

Ск*=Ск(1+b) ≈ 5-15мкФ

2)ОБ

r э=dUбэ/dIэ | Uк- const

r* к=dUкб/dIк | Iэ- const

Частотные свойства транзистора

Зависят от емкостей транзистора, межэлектородных емкостей, и от коэффициентов a и b

fср=fсрa/b – для b

h – параметры транзистора

ΔU₁ =h₁₁ ΔI₁ +h₁₂ ΔU₂

ΔI₂ =h₂₁ ΔI₁ +h₂₂ ΔU₂

h₁₁ = ΔU₁ / ΔI₁ │ΔU₂ =0 – входной сигнал

h₁₂ = ΔU₁ / ΔU₂ │=μ=0 – коэф. обр. отриц. внутр.связи

│ΔI₁ =0

h₂₁ = ΔI₂ / ΔI₁ │ ΔU₂ =0 – коэф усиления I

h₂₂ = ΔI₂ / ΔU₂ │=1/rк выходная проводимость

│ΔI₁ =0

Связь h-параметров с собственными параметрами транзистора

ОБ	ОЭ
h11	rэ+rб(1-α)	rб+rэ(1+β)
h12	0	0
h21	α	β
h22	1/rк	1/rк*=(1+ β)/rк

Полевые транзисторы (ПТ)

В ПТ используется носитель заряда одного типа. Работа ПТ основана на управлении R канала ПТ поперечным электрическим полем.

ПТ с: p-n переходом

МДМ или МОП

«+»- очень простые, высокая технологичность, большое Rвх., малая стоимость.

«-»-малая крутизна

ПТ с p-n переходом

Структура и работа.

ВАХ: выходная

rc=ΔUcч/ΔIc

Uзи=const(отсечки)

≈10-100кОм

Стокозатворная характеристика