Остальные рефераты / Реферат: Электронные ключи Особенности схемотехники РТЛ и ДТЛ

Реферат: Электронные ключи Особенности схемотехники РТЛ и ДТЛ

Активный режим создаётся путём подачи на базу VT положительного напряжения. При этом эмиттерный p-n переход будет смещён в прямом направлении, а коллекторный – в обратном направлении, т.к. .

В активной области между входными и выходными токами существует жесткая связь:

, т.к. ; ,

–коэффициент усиления тока базы.

3) Режим насыщения. Такой режим наступает при , при этом VT открыт. Оба p-n перехода смещены в прямом направлении.

В режиме насыщения транзистор перестаёт управляться по цепи базы, поэтому ток коллектора насыщения остаётся неизменным и определяется сопротивлением нагрузочного резистора :

Дальнейшее увеличение входного сигнала при приводит к увеличению потока электронов из эмиттера в базу и электроны (неосновные носители) в виде объёмного заряда скапливаются в области базы.

Наступает так называемое насыщение транзистора.

Условие насыщения VT может быть представлено в виде:

; .

Количественно глубина насыщения VT характеризуется коэффициентом насыщения

, (),

а также степенью насыщения

С физической точки зрения степень насыщения характеризует собой величину избыточного заряда неосновных носителей (электронов) в базе транзистора.

С ростом тока базы растёт по экспоненциальному закону объёмный заряд неосновных носителей в базе VT и на границе насыщения при он достигает значения

где - постоянная времени жизни неосновных носителей в области базы, отражающая частотную зависимость коэффициента передачи .

, где - верхняя граничная частота VT.

Чем больше избыточный заряд , тем сильнее насыщен транзистор, а рассеивание заряда обуславливает инерционность VT при его выключении, что в итоге существенно влияет на быстродействие ключевой схемы.