Реферат: Электронные ключи Особенности схемотехники РТЛ и ДТЛ

–объёмный заряд, –время задержки, –время фронта,.

До момента коммутации входной ток отсутствовал. Объёмный заряд в области базы после момента коммутации появится с некоторой задержкой из-за наличия ёмкости перехода, паразитной ёмкости монтажа.

–средняя продолжительность жизни неосновных носителей в области базы.

Объёмный заряд соответствует некоторому току коллектора насыщения . Для уменьшения времени включения транзистора необходимо увеличить входной ток

–напряжение закрытого транзистора;

–ток базы логической единицы.

, где – граничная частота усиления транзистора ().

При выключении транзистора

.

1.4 Способы увеличения быстродействия ключа на биполярном транзисторе

Основным недостатком насыщенного ключа является относительно низкое его быстродействие, обусловленное рассасыванием избыточного заряда в базе VT. Для повышения быстродействия необходимо строить схемы ненасыщенных ключей. Приведём примеры.

1.Использование ускоряющей ёмкости.

Оптимальная форма тока базы для улучшения формы выходного импульса должна иметь следующий вид:

Для получения тока такой формы используется форсирующая (уско-ряющая) ёмкость:

Назначение форсирующей ёмкости состоит в том, чтобы временно увеличить отпирающий ток базы и обратный ток на время переходных процессов, когда формируется и .

В момент времени при отпирании ключа и формировании имеем:

,

т.к. высокочастотная составляющая входного сигнала проходит через , шунтируя при этом резистор .

В момент времени при формировании имеем:

,

т.к. ёмкость оказывает существенное реактивное сопротивление низкочастотным составляющим входного сигнала, который, проходя по цепи уменьшает ток базы.

В момент времени запирающий ток базы формируется аналогично току , когда во входную цепь поступают низкочастотные составляющие, формирующие .