Реферат: Физические основы действия современных компьютеров
МОП-транзисторы характеризуются следующими статическими параметрами режима насыщения:
при Uc =const,
где S – крутизна характеристик, DIc – изменение тока стока, DUзи – изменение напряжения на затворе при постоянном напряжении на стоке.
при Uзи =const,
где Ri – внутренне сопротивление, DUc – изменение напряжения на стоке, DIc – изменение тока стока при постоянном напряжении на затворе.
при Iс =const,
где m – коэффициент усиления, показывающий, во сколько раз сильнее влияет на ток стока изменение напряжения на затворе, чем изменение напряжения на стоке.
Uзи отс – обратное напряжение на затворе (напряжение отсечки), при котором токопроводящий канал оказывается перекрытым.
Входное напряжение между затвором и истоком определяется при максимально допустимом напряжении между этими электродами.
На высоких частотах также очень важными являются междуэлектродные емкости: входная, проходная и выходная.
К важнейшим достоинствам полевых транзисторов относятся:
1) Высокое входное сопротивление (до 1015 Ом).
2) Малый уровень собственных шумов
3) Высокая устойчивость против температурных и радиоактивных воздействий
4) Высокая плотность элементов при использовании в интегральных схемах
5) Низкая инерционность.
Реализация других полупроводниковых приборов в интегральных схемах.
Конденсатор (используется барьерная емкость обратно включенного p-n перехода)
Резистор (базовые – высокоомные, эмиттерные – низкоомные. В качестве переменного резистора можно использовать униполярый транзистор).
Индуктивности обычно не используются, т.к. схемы проектируют так, чтобы избежать их использования, однако, если все же возникает необходимость введения в схему отдельной индуктивности, на поверхность окисла кремния металлической спирали.
Диоды b и e – на основе коллекторного перехода имеют наибольшее обратное напряжение. На основе эмиттерного перехода (a, d) – имеют наибольшее быстродействие и наименьший обратный ток. На основе параллельного включения переходов (с) – наименьшее быстродействие и наибольший прямой ток..
Таким образом, с помощью транзисторов в микросхемах исполняются практически все необходимые радиоэлементы. Далее мы рассмотрим, где и как они применяются.
Оперативная память.
Оперативная память является полупроводниковым устройством, и выполнена в виде матрицы. Как легко догадаться, полупроводниковые запоминающие устройства, в отличие от вышеописанных – энергозависимы, т.е. нуждаются в постоянной подпитке энергией или обновлении. В самом примитивном подходе элемент памяти состоит из триггера (статическая память) или конденсатора (динамическая). Соответственно, элемент памяти хранит только один бит информации. Расположены они, как уже упоминалось, в виде матрицы, на пересечении строк и столбцов. Для обращения к нужному элементу памяти необходимо возбудить адресные шины (выходы) нужных строки и столбца, на пересечении которых находится необходимый элемент. На всех других адресных шинах должен быть сигнал нулевого уровня. Такая схема адресации называется двухкоординатной. Сигналы выборки формируются внешним либо внутренним дешифратором кода адреса.
Как было уже сказано, в элемент памяти записывается (или считывается с него) 0 или 1. Запись и считывание производится по информационным (разрядным) шинам, которые соединены с усилителями записи и считывания, которые в свою очередь, формируют сигналы с требуемыми параметрами. Поскольку для считывания и записи используется одни и те же разрядные шины, соединенные со всеми элементами памяти, то операции считывания и записи на каждый элемент памяти разделены по времени как между собой, так и между считыванием и записью в другие элементы памяти данной микросхемы.
Схема устройства статического ОЗУ