Реферат: Измерение потерь в дроссе
стики представлены в
таблице 3.
|
Значения | ||
Напряжение питания(Vdd ,Vсс ) |
0-16 В | ||
Выходное напряжение (HO) |
Vdd -0.4 В | ||
Выходное напряжение (LO) |
0-Vcc | ||
Время срабатывания |
10нсек | ||
Напряжение логической “1” | 9,5-Vdd В | ||
Напряжение логического “0” | 0-6B |
|
Микросхема используется по стандартной схеме подключения изображённой на рис.11
Рассчитаем навесные элементы, показанные на рис 11. Элементы С1 , С2 , D1 ,D2 – соответственно бутстреповская ёмкость и бутстреповский диод (bootstrap). Согласно рекомендации фирмы изготовителя драйвера, выбираем емкости С1 =С2 =30.5 нФ.
К бутстреповскому диоду ставят два условия. Во-первых, он должен полностью блокировать обратное напряжение. Во-вторых, он должен быть быстродействующим. Выбираем диодUF4002, с временем срабатывания 25 нсек.
5.2.1 Ключи
В схеме, мы применяем ключи IRF3205 фирмы International Rectifier. Основные технические характеристики представлены в таблице 4.
|
Параметры | Значения |
Время нарастания переднего фронта Id (on ) |
14нсек |
Время спада заднего фронта td (off ) |
43нсек |
Полный заряд бызы QG | 170нКл |
5.3 Измерительная схема, Измерение мощности.
Схема, реализующая измерения потерь в дросселе изображена
на рис. 12.