Реферат: Матричные фотоприемники

Центр эпитаксиальной структуры либо свободен от дислокаций

несоответствия, либо содержит их незначительное количество. Измерение

удельного сопротивлениячетырехзон-довым методом показало, что концентрация

висмута по диаметру эпитаксиальных структур не изменялась. Поэтому можно

считать, что увеличение плотности дислокаций несоответствия связано с

радиальными градиентами в процессе роста структур, что обуславливает градации

интенсивности на электронной микрофотографии.

Рис. 1. Электронная микрофотография поверхности гетероструктуры

InSb – InSb 0.985 Bi 0.015 – .20000.

Измерения, проведенные на основе рентгенографических исследований,

показали, что суммарная толщина пары слоев InSb и InSbBi

d1 + d2 ≈ 120 нм.

Ширина запрещенной зоны в такой сверхрешетке при переходе от слоя к слою

модулируется по закону:

Eg(x) = (Eg1d1 + Eg2d2 )/(d1 + d2)

Рис. 2. Схема лавинного фотодиода на основе сверхрешетки InSb-InSbBi

При этом снимается проблема программированного изменения состава

твердого раствора на малых длинах (~ 0,1 мкм). Градиентный слой уменьшает

величину скачка в валентной зоне так, что ∆Е → 0 и длинновременная

составляющая релаксации фототока τp → 0. Быстродействие при этом может

сокращаться до значений ~ 1 нс. Структура такого лавинного фотодиода

представлена на рис. 2. Топологически такой прибор приводится к структуре

фотоприемника с растровыми электродами, изоляция между которыми выполнена

обратносмещенными p-n-переходами.

Таким образом, в технологии фотоприемных устройств инфракрасного

диапазона (спектры фотолюминесценции имеют максимум вблизи 8,7 мкм) могут

быть перспективны структуры типа «квантовой ямы».

3.5 Принципиальная схема

4.1Фоторезисторы