Реферат: Модернизация лабораторного стенда для исследования характеристик АМ-ЧМ приемника

4. Аноды варикапов подключаются к общему проводу (см. Приложение 4) через параллельно соединенные резистор номиналом 100кОм и конденсатор емкостью 0.033 мкФ для подключения к ним сигнала управления от частотного детектора;

5. Отключить полосовой фильтр Z1, вместо него подключить конденсатор емкостью 1000 пФ для увеличения полосы пропускания усилителя промежуточной частоты.

3 Разработка методик проведения лабораторных работ

3.1 Разработка методики исследования амплитудного ограничителя и частотного детектора

Рекомендуемая методика проведения исследования амплитудного ограничителя при проведении лабораторной работы следующая.

1) Расчетная часть – предполагает проведение студентами теоретического расчета амплитудного ограничителя. Студенту необходимо рассчитать и построить амплитудную характеристику амплитудного ограничителя с шунтирующими диодами и амплитудную характеристику транзисторного ограничителя. Методические указания к расчетам изложены ниже.

Характеристики амплитудного ограничителя с шунтирующими диодами рассчитывается в следующем порядке:

- задаваясь рядом значений косинуса угла отсечки токов шунтирующих диодов cosθ = 1 ; 0,96 ; 0,92 ; 0,88 ; 0,84 ; 0,8 и, зная напряжение запирания диодов U_з , определить соответствующие амплитуды выходного напряжения ограничителя

U_{вых.огр.} = U_з / cosθ

- рассчитать для выбранных углов отсечки cosθ входное сопротивление двух шунтирующих диодов 0,5R’, пользуясь формулой:

R’=

и приведенными в таблице 3.1.1 значениями

Здесь S_д – крутизна характеристики прямого тока диода.

Таблица 3.1.1

cos θ	1	0,96	0,92	0,88	0,84	0,8
∞	314	78,5	43,7	27,3	20

- ?? ???????? d_э1 , ?_э1 ? f_o ?????????? ????????????? ??????? ??????? R_э1 , ????? ?????????? ???????? R?_э , d?_э , ? β₁ ??? ???? ????????? ???????? cosθ ?? ????????:

где d_э1 – эквивалентное затухание первого контура с учетом влияния шунтирующих диодов;

d_э2 – эквивалентное затухание второго контура.

- по найденным U_{вых.огр.} , R’_э , β и заданной крутизне транзистора VT1 рассчитать ряд значений амплитуд входного напряжения, соответствующих выбранным cosθ и, следовательно, U_{вых.огр.} , пользуясь соотношением

U_вх = U_{вых.огр.} (1+ β² ₁ )/(SR’_э1 )

где S – крутизна характеристики коллекторного тока транзистора.

- построить амплитудную характеристику ограничителя

U_{вых.огр.} =f(U_вх )

?????????????? ???????????? ???????????? ?? ???????????? ?????????????? ?? ???????:

Рекомендуется следующая последовательность расчетов:

- при аппроксимации характеристики транзистора вида рисунка 3.1.3 I_к =Ψ(U_вх ) найти крутизну ее наклонного участка S и напряжение отсечки U_o ;

- задаваясь рядом значений угла отсечки (cosθ = 1 ; 0,8 ; 0,6 ; 0,4 ; 0,2 ; 0,1) найти соответствующие им значения амплитуды входного напряжения U_вх = U_о /cosθ, U_о =|U₁ |=U₂ на рисунке 3.1.3;

- для выбранных cosθ (и, следовательно, U_вх ) по формуле (1) рассчитать значения U_{вых.огр.} , предварительно вычислив резонансное сопротивление первого контура Rэ1=1/ωоСэ1dэ1, и, используя значения функции , приведенные в таблице 3.1.2.

Таблица 3.1.2

cos θ	1	0,8	0,6	0,4	0,2	0,1
1	0,9	0,72	0,485	0,25	0,13

- для всех U_вх , при которых cosθ< 0,1, можно считать амплитуду первой гармоники тока коллектора приблизительно постоянной и равной

- при всех U_вх ≤ U_о , то есть в отсутствие ограничения, рассчитываемое устройство имеет резонансный коэффициент усиления, равный:

Характеристики частотного детектора рассчитываются с помощью обобщенных кривых Ψ(α , β), рисунок 3.1.4

- на обобщенной характеристике, соответствующей заданному β, выбрать 5-6 точек и найти их абсциссы и ординаты;

- найденные абсциссы выбранных точек выразить в значениях расстроек