Реферат: Определение параметров p-n перехода
в) положение уровня Ферми
(рис. 1)
(рис. 2)
            
 |
 
                 | ||||||||||||||||||||||||
| (рис. 1) | (рис. 2) | ||||||||||||||||||||||||
|
г) концентрации основных и неосновных носителей заряда | |||||||||||||||||||||||||
|
|
| ||||||||||||||||||||||||
|
д) удельные электропроводности p- и n- областей
| |||||||||||||||||||||||||
|
е) коэффициенты диффузий электронов и дырок
| |||||||||||||||||||||||||
|
ж) диффузионные длины электронов и дырок
| |||||||||||||||||||||||||
4. Расчет параметров p- n перехода | |||||||||||||||||||||||||
|
a) величина равновесного потенциального барьера
б) контактная разность потенциалов
| |||||||||||||||||||||||||
в) ширина ОПЗ (переход несимметричный  - ) | ||
|
г) барьерная ёмкость при нулевом смещении
д) тепловой обратный ток перехода
| ||
|
К-во Просмотров: 395
Бесплатно скачать Реферат: Определение параметров p-n перехода
| ||
е) график ВФХ