Реферат: Определение параметров p-n перехода
– общий вид функции для построения ВФХ
|
ж) график ВАХ
| ||
|
|
– общий вид функции для построения ВАХ | |
|
Ветвь обратного теплового тока (масштаб) | ||
|
Ветвь прямого тока (масштаб) | ||
|
Вывод. При заданных параметрах полупроводника полученные значения удовлетворяют физическим процессам:
- величина равновесного потенциального барьера ( | ||
- барьерная емкость при нулевом смещении ( ) равна 1,0112пФ т.е. соответствует заданному ( 1пФ ) | ||
|
- значение обратного теплового тока ( | ||
|
Литература: 1. Шадский В. А. Конспект лекций «Физические основы микроэлектроники» 2. Шадский В. А Методические указания к курсовой работе по курсу «ФОМ» . Москва, 1996 г. 3. Епифанов Г. И. Физические основы микроэлектроники . Москва, «Советское радио», 1971 г. | ||
) равна 
, что соответствует условию 
) равно 1,92×10-16 А т.е. много меньше заданного ( 0,1мкА )