Реферат: Поняття про мікроелектроніку

Зміст

Вступ

1. Планарна технологія виготовлення транзисторів

2. Що таке інтегральна мікросхема?

3. Плівкова технологія

4. Деякі особливості технології виготовлення інтегральних мікросхем

5. Наслідки появи мікроелектроніки

6. Література

Вступ

Мікроелектроніка – новий напрям електроніки, що охоплює наукові та технологічні проблеми дослідження конструювання, виробництва і застосування радіоелектронних пристроїв у мікромініатюрному інтегральному виконанні. Мікроелектроніка є самостійною дисципліною, вивчення якої передбачається на старших курсах. Тому в рамках даного курсу радіоелектроніки ми обмежимося лише загальними відомостями про її виникнення, розвиток, проблеми, які розв'язуються нею, та перспективами на майбутнє.

Основним питанням мікроелектроніки є технологія виготовлення мікроелектронних пристроїв, тому саме цьому питанню і буде приділена найбільша увага. Ми аж ніяк не претендуємо ні на повноту, ані на вичерпний виклад усіх тих різноманітних нових технологій, які починають знаходити застосування у сучасній мікроелектроніці. Наша задача – дати поняття, хай навіть у дещо спрощеній формі, про найбільш поширені технологічні процеси, за допомогою яких натепер виготовляється більшість інтегральних мікросхем.

Оскільки основною технологічною задачею мікроелектроніки є виготовлення транзистора, почнемо саме з нього.

1.Планарна технологія виготовлення транзисторів

Основним сучасним методом виготовлення транзисторів є планарна технологія. Транзистори, виготовлені за цією технологією, називаються планарними. Така назва походить від англійського слова plane – площина, оскільки транзисторні структури створюються на площинній поверхні напівпровідникового кристалу.

У спрощеному вигляді послідовність операцій планарної технології для виготовлення біполярного npn-транзистора показана на рис.7.1. Вихідним матеріалом є пластинка з донорно-легованного кремнію товщиною в частки міліметру. Поверхня пластинки окислюється, на ній вирощується тонкий захисний шар оксиду кремнію Sі0₂ (рис.7.1а). У захисному шарі протравлюється отвір ("вікно"), крізь яке шляхом дифузії з газової або парової фази у приповерхневий шар кремнію вводиться акцепторний домішок, внаслідок чого під "вікном" утворюється дірково-провідна область (рис.7.1б). Далі цей процес повторюється і в приповерхневий шар кремнію вводиться донорний домішок, котрий створює нову сильнолеговану область (рис.7.1в). В результаті в напівпровіднику утворюється характерна для біполярного транзистора тришарова npn структура, де n-провідна пластина служить колектором, верхня n+-область – емітером, а проміжний p-шар – базою.

Повторним окисленням поверхня пластинки кремнію знову вкривається шаром оксиду Sі0₂ , в якому навпроти колектора, бази та емітера протравлюються невеликі отвори. В ці отвори напилюється метал (звичайно алюміній), який створює контактні площинки, що є відповідно виводами колектора, бази та емітера транзистора (рис.7.1г).

Найбільш тонким і відповідальним процесом планарної технології є створення "вікон".

Для цього застосовується метод фотолітографії. Суть його така. Поверхня оксиду кремнію вкривається фоторезистом – речовиною, яка здатна полімеризуватися під дією ультрафіолетового світла. Далі на фоторезист накладається фотошаблон – прозора платівка з нанесеним на неї зображенням, темні місця якого відповідають розташуванню майбутніх вікон[1] . Крізь фотошаблон фоторезист опромінюється ультрафіолетовим світлом від кварцової лампи. У засвічених місцях фоторезист полімеризується, а там, куди ультрафіолет не потрапив, він потім легко змивається розчинником. Наступна опeрація – пластинку травлять в концентрованій плавиковій кислоті, яка роз’їдає оксидну плівку лише в тих місцях, де вона не захищена шаром полімеризованого резисту. І нарешті, фоторезист, що залишився, видаляють спеціальним розчинником. Тепер можна приступити до наступних технологічних операцій[2] .

Операції по створенню вікон звичайно доводиться повторювати по кілька разів. Головна складність полягає у тому, що нові вікна повинні бути саме в тих місцях, які відповідають раніше створеній структурі p – та n-областей. Враховуючи, що планарний транзиcтор має розміри в частки міліметра (а іноді і значно менші), точність суміщення фотошаблонів повинна бути дуже високою – порядку кількох мікронів.

Звичайно, виготовляти у такій спосіб транзистори по одному було б надто трудомістким та дорогим процесом. Тому на напівпровідниковій пластинці площею в кілька квадратних сантиметрів вирощують водночас кілька сотень (а іноді й тисяч) транзисторів. Для цього потрібні лише фотошаблони, на яких зображення відповідної структури повторюється багаторазово. Така технологія зветься гpуповою, оскільки водночас створюється ціла група ідентичних транзисторів.

Рис.1. Послідовність операцій планарної технології виготовлення біполярного транзистора.

а) окислення поверхні напівпровідникової пластинки.

б). протравлювання вікон та введення р-домішки.

в). введення n-домішки.

г). створення контактних площинок.

Рис.2. Послідовність операцій планарної технології виготовлення МОН - транзистора з індукованим каналом.

а). окислення поверхні напівпровідникової пластинки.

б). протравлювання вікон та створення високолегованих областей витоку і стоку.

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--