Реферат: Примесная краевая фотопроводимость полупроводников

Выпускная квалификационная работа

студента 4 курса

направления «Физика»

Саргинова С.С. ___________________

Научный руководитель -

Зав.кафедрой экспериментальной и общей физики,

кандидат физико-математических наук, доцент

______________________А. С. Батырев

“Допущен к защите”

Зав. кафедрой экспериментальной и общей физики,

кандидат физико-математических наук, доцент

______________________А. С. Батырев

«_____»__________________2010 г.

Элиста 2010

СОДЕРЖАНИЕ

Введение. 3

Глава №1. Обзор литературы и постановка задачи.4

§1. Фотоэлектрические процессы с участием экситонов в полупроводниковых кристаллах. 7

§2. Влияние поверхности на фотоэлектрические процессы с участием экситонов.10

§3. Исследование экситонной структуры в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS путем изменения внешнего поля.12

Постановка задачи. 17

Глава №2. Экспериментальная установка и методика эксперимента.18

§1. Экспериментальная установка.18

§2. Методика проведения эксперимента. 20

Глава №3. Экспериментальные результаты и обсуждение.22

§1. Экспериментальные результаты.22

§2. Обсуждение экспериментальных результатов.25

Заключение. 27

Список литературы.. 28

Введение

В спектрах фотопроводимости полупроводниковых кристаллов непосредственно вблизи края основного поглощения возможно проявление мелких примесно­–дефектных состояний донорного и акцепторного типов. Этот вопрос относительно подробно исследован для кристаллов CdS. Так, при температуре Т=300К в чистых кристаллах CdS, помимо основного максимума фотопроводимости, соответствующего межзонным переходам, в ряде случаев можно наблюдать, по крайней мере, два вида дополнительных максимумов, обозначенных ДМ₁ и ДМ₂ . Первый (ДМ₁ ) расположен в непосредственной близости к краю поглощения и проявляет сильную зависимость от поляризации возбуждающего света. Второй максимум фотопроводимости (ДМ₂ ) расположен несколько длинноволновее первого и слабо зависит от поляризации возбуждающего света.

Примесные максимумы ДМ₁ и ДМ₂ обнаруживают специфические изменения под действием засветки светом определенного спектрального состава, а также с изменениями тянущего поля и температуры. Исследование этих изменений может дать важную информацию о природе этих максимумов. Исходя из этого в данной работе была поставлена задача изучения температурной зависимости спектров фотопроводимости CdS в спектральной области «примесных» максимумов ДМ₁ и ДМ₂ .

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--