Реферат: Проектирование автоматического устройства
На выходных характеристиках выделяются три области, которые определяют режим отсечки коллекторного тока, активный режим и режим насыщения ключевой схемы.
Область отсечки определяется точками пересечения линии нагрузки R с самой нижней кривой семейства выходных характеристик с параметром I= - I. Этой области соответствует режим отсечки, при котором:
--транзистор закрыт, т.к. оба его перехода смещены в обратном направлении
U>0, U<0
--напряжение U= - E+I*R - E
--ток коллектора минимален и определяется обратным (тепловым) током коллекторного перехода I=I
--ток базы I= - I,а ток эмиттера I=0
--сопротивление транзистора постоянному току наибольшее
R =100 кОм.
Активная область расположена между нижней кривой коллекторного тока и линией насыщения. Этой области соответствует активный нормальный режим, при котором эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный -- в обратном:
U<0,U>0
Ток коллектора I=B*I+(B+1)I=B*I+I ; I=(B+1)I.
Где B – коэффициент усиления базового тока в схеме с ОЭ.
Область насыщения определяется точками пересечения линии нагрузки с линией насыщения. Этой области соответствует режим насыщения. При котором:
--транзистор открыт, т.к. оба его перехода смещены в прямом направлении
U<0,U<0
--напряжение U и U насыщенного транзистора составляет доли вольта
--максимальный ток транзистора (ток насыщения) I, практически не зависит от параметров транзистора
I= (3.1)
--сопротивление транзистора постоянному току минимально (десятки ом)
r=
Коллекторный ток насыщения достигается при граничном токе базы I==. (3.2)
Глубина или степень насыщения транзистора определяется коэффициентом насыщения S
S=.
3.2.Расчёт транзисторного ключа.
Расчёт ключей производится с целью обеспечения статического и динамического режимов, при которых в заданном диапазоне происходит надёжное включение и выключение транзистора с требуемым быстродействием.
Выбор типа транзистора. Тип транзистора выбирается исходя из заданного быстродействия, необходимой амплитуды выходного напряжения, температурного диапазона работы.
Выбираем тип транзистора КТ315А.
Iдоп=100 мА