Реферат: Проектирование автоматического устройства

f МГц

C пФ

B=55

Выбор источника коллекторного питания. Значение источника E выбирают по заданной амплитуде U выходного напряжения

E=(1,11,2)*U=(1,11,2)*5=5,56 (B),

При этом должно выполнятся неравенство

EUдоп=20 (В),

Выбираем E =5,7 B.

Коллекторный ток насыщения . Величина тока I ограничена с двух сторон

20*IIIдоп,

где I -обратный ток коллекторного перехода при t;

Iдоп=допустимый ток коллектора в статическом режиме (в состоянии длительного включения).

Можно рекомендовать

I=0,8*Iдоп=0,8*100*10=80*10(А) (3.3)

Определение коллекторного сопротивления. Величина коллекторного сопротивления находится из (3.1),(3.3):

R===71,25 (Ом)

Выбираем R=75 Ом.

Обратный ток коллекторного перехода определяется при максимальной температуре t по формуле

I =I(20) *2,

Где I(20)-обратный ток коллекторного перехода при 20.

Сопротивление резистора R выбирается из условия получения режима отсечки закрытого транзистора при максимальной температуре.

R==9735 (Ом)

Выбираем R=9,1 (кОм)

Ток базы I. Базовый ток ,при котором транзистор заходит в режим насыщения, вычисляется по формуле (3.2) с учётом, что коэффициент усиления B=B

I= (мА)

Сопротивление резистора R. Для заданной амплитуды входного управляющего сигнала U=E величина сопротивления R рассчитывается по формуле

R=

Значение коэффициента насыщения S при заданной длительности t находим из формулы

S= ,где величина t определяется из формулы