Реферат: Проектирование и расчет низкочастотного усилителя
.
Определяем среднее значение тока, потребляемое от источника питания оконечным каскадом:
=,
где Iok – начальный ток коллектора транзисторов VT3 и VT4
(примем Iok =25 мА).
Определяем мощность, потребляемую от источников питания оконечным каскадом при номинальной выходной мощности
=.
Определяем мощность рассеяния на коллекторе одного транзистора оконечного каскада
=.
По рассчитанным значениям Pk , 2Ek , (Ikm +30%)
и требованиям к частотным свойствам (n³20 кГц) подбираем транзисторы VT3 и VT4. При этом они должны иметь одинаковые параметры и ВАХ.
Итак, должны выполняться следующие условия:
, т.е. ()
, т.е. ()
, т.е. ()
Этим условиям удовлетворяют параметры транзисторов КТ819А (n-p-n) и КТ818А (p-n-p). Они подходят по максимально допустимым параметрам и имеют одинаковые параметры и ВАХ.
По статическим характеристикам транзисторов VT3(VT4) определяем амплитудное значение тока базы Iб m и напряжение на базе Uбm (Рис 1):
Iб m = 180 мA,
Uб m =0,42 В.
Далее определяем входное сопротивление транзистора для переменного тока:
Rвх T3~ ==
Определяем амплитуду входного напряжения каждого плеча(VT3,VT4):
Uвхт3 = Uб m +Ukm = 0,42+2,83 =3,25 В
Определяем величину сопротивлений резисторов R3 и R4. Она выбирается в 5÷10 раз больше значения входного сопротивления переменному току транзисторов VT3 и VT4 при максимальном входном сигнале:
R3=R4=(5÷10)Rвх T3~ =.
По полученному значению R3 (R4) выберем из ряда стандартных сопротивлений резисторов ближайший в сторону увеличения стандартный номинал сопротивления резисторов R3 (R4). В данном случае R3=R4=150 Ом
Находим сопротивление эмиттерной нагрузки транзисторов VT1 и VT2:
Rнт1 =.
Рассчитаем режим работы транзисторов VT1 и VT2. Найдем амплитуду импульса коллекторного тока транзистора VT1:
IkmT 1 =.
Определяем среднее значение тока