Реферат: Проектирование и расчет низкочастотного усилителя

где I_ok - начальный ток коллектора транзисторов VT1 и VT2 примем равным 1,5 мА.

Определяем мощность при номинальной выходной мощности:

Р₀ =.

Определяем мощность рассеяния на коллекторе одного транзистора:

Р_к ==.

Аналогично вышеуказанному способу, выбираем пару транзисторов VT1 и VT2. В качестве транзисторов VT1 и VT2 выбираем соответственно транзисторы КТ503А(n-p-n) и КТ502А (p-n-p):

, т.е. ()

, т.е. ()

, т.е. ()

По статическим характеристикам транзисторов VT1(VT2) определяем амплитудное значение тока базы I_бм и напряжение на базе U_бм (Рис 2):

I_{б m} =5,3 мА, U_{б m} =186 мВ.

Далее определяем входное сопротивление транзистора для переменного тока:

R_{вх T 1~} ==.

Определяем амплитуду входного напряжения каждого плеча(VT1,VT2):

U_вхТ1 =U_{б mТ1} +U_{kmT 1} =0.186+3,25=3,436B, заметим, что U_{kmT 1} =U_вхТ3 =3,25 В.

Так как R_{вх T 1~} < 1 кОм, значит R_вхУМ < 1 кОм (R_вхУМ = R_{вх T 1~} | | R₁ ).

{Находим делитель R₁ -VD1-VD2-R₂ по I_д = 7.5·I_{0б T1} =0,375мА, по
U_д ≈ U_{0 bT1} =0,34 В. Определяем диод по этим параметрам: выбираем КД514А.

Определяем R₁ (R₂ ):

R₁ =R₂ ==. Выбираем сопротивление из стандартного ряда (±5%): R1=R2=33 кОм.

Найдем входное сопротивление усилителя мощности:

R_вхУМ =.}

2.3 Расчет теплоотвода для транзисторов выходного каскада

Подводимая к усилителю электрическая мощность рассеивается в основном помимо нагрузки, на транзисторах оконечного каскада. Вследствие этого температура внутренних областей и корпуса прибора превышает температуру окружающей среды. Температура p – n – переходов является важнейшим фактором, от которого зависят не только величины основных параметров, но и общая работоспособность приборов.

С целью удержать температуру на допустимом уровне используют теплоотводящие радиаторы.

Определим требуемую площадь радиатора, изготовленного из алюминия с коэффициентом теплопроводности К=0,0013 Вт/см² *градус.

Примем температуру окружающей среды равной

=50 .

=125 - максимальная температура переходов для транзисторов VT3 и VT4 с радиатором (взята из справочника).

=4.73 Вт - суммарная мощность рассеивания на переходах транзисторов VT3 и VT4,