Реферат: Радиоволновые радиационные методы контроля РЭСИ Методы электронной микроскопии

Методы электронной микроскопии (ЭМ)

Электронная микроскопия основывается на взаимодействии электронов с энер­гиями 0,5 - 50 кэВ с веществом, при этом они претерпевают упругие и неупру­гие столкновения.

Рассмотрим основные способы использования электронов при контроле тон­копленочных структур (см. рис.2)

Таблица 1 –

Схемы расположения антенн преобразователей по отношению к объекту контроля.

Схема расположения антенн преобра­зователя	Возможный метод контроля	Примечание
1	2	3
	Амплитудный, спек­тральный, поляриза­ционный	-
	Фазовый, амплитуд­но-фазовый, вре­менной, спектраль­ный	-
	Амплитудный, гео­метрический, спек­тральный, поляриза­ционный	-
	Фазовый, амплитуд­но-фазовый, гео­метрический, вре­менной, спектраль­ный	-
	Амплитудный, спек­тральный, поляриза­ционный.	-
	Амплитудный, поля­ризационный, голо-графический.	В качестве прием­ной используется моноэлементная антенна.
	Амплитудный, голо-графический.	В качестве прием­ной используется многоэлементная антенна.
	Амплитудный, ам­плитудно-фазовый , временной, поляри­зационный	-
	Амплитудный, фазо­вый, амплитудно-фазовый, спектраль­ный.	Функции пере­дающей (излу­чающей) и при- емнои антенн со­вмещены в одной антенне.

1 2 3 Амплитудно-фазовый, спектраль­ный - качестве прие-мо-передающих антенн использу­ются две одинако­вые антенны. Амплитудно-фазовый, геометри­ческий, временной, поляризационный - Амплитудный, голо-графический. В качестве прием­ной используется многоэлементная антенна.

Обозначения: - антенна преобразователя;

- нагрузка.

1 – СВЧ-генератор; 2 – объект контроля; 3 – СВЧ-приемник; 4 – линза для создания (квази) плоского фронта волны; 5 – линза для формирования радио-изображения; 6 – опорное (эталонное) плечо мостовых схем.

Примечание: допускается применение комбинаций схем расположения антенн преобра­зователя по отношению к объекту контроля.

Растровая электронная микроскопия (РЭМ). Сфокусированный пучок элект­ронов 1 (рис. 2) диаметром 2-10 нм с помощью отклоняющей системы 2 перемещается по поверхности образца, (либо диэлектрической пленки З1, либо полупроводника З-11.) Синхронно с этим пучком электронный пучок перемеща­ется по экрану электронно-лучевой трубки. Интенсивность электронного луча моделируется сигналом, поступающим с образца. Строчная и кадровая разверт­ка пучка электронов позволяют наблюдать на экране ЭЛТ определенную пло­щадь исследуемого образца. В качестве модулирующего сигнала можно исполь­зовать вторичные и отражательные электроны.

Рисунок 1 – Классификация радиационных методов

Рисунок 2 – Режимы работы растровой электронной микроскопии

а) контраст в прошедших электронах; б) контраст во вторичных и отраженных электронах; в) контраст в наведенном токе (З11 - ус­ловно вынесен за пределы прибора). 1 – сфокусированный луч; 2 – отклоняющая система; 3 – объект исследования - диэлектричес­кая пленка; 4 - детектор вторичных и отраженных электронов; 5 -усилитель; 6 - генератор развертки; 7 - ЭЛТ; 8 - сетка детектора; 9 -отраженные электроны; 10 - вторичные электроны.

Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ) основана на поглоще­нии, дифракции электронов взаимодействия с атомами вещества. При этом про­шедший через пленку сигнал снимается с сопротивления, включаемого после­довательно с образцом З1. Для получения изображения на экране используются мощные линзы, располагаемые за образцом. Стороны образца должны быть плос­копараллельными, чистыми. Толщина образца должна быть много меньше дли­ны свободного пробега электронов и должна составлять 10.. 100 нм.