Реферат: Разработка анализатора газов на базе газового сенсора RS 286-620

Подставляя в (5) выражения для n_d и n_a получаем выражение для s

s=e ( m_d S N_d ⁱ * (1+exp(-(E_d ⁱ -F)/kT)) ^–1 + m_a S N_a ⁱ * (1+exp(-(F-E_a ⁱ )/kT)) ^–1 )

s= (S e m_d N_d ⁱ * (1+exp(-(E_d ⁱ -F)/kT)) ^–1 + S e m_a N_a ⁱ * (1+exp(-(F-E_a ⁱ )/kT)) ^–1 )

Обозначая

s_d ⁱ =e m_d N_d ⁱ * (1+exp(-(E_d ⁱ -F)/kT)) ^–1

s_a ⁱ =e m_a N_a ⁱ * (1+exp(-(F-E_a ⁱ )/kT)) ^–1

Преобразуем выражение для s к виду

s= S s_d ⁱ + S s_a ⁱ ( 6 )

В последнем выражении величины s_d ⁱ и s_a ⁱ являются проводимостями, обусловленными ионизацией i-ой донорной или акцепторной примеси (далее эти величины называются парциальными проводимостями ). Таким образом суммарная проводимость полупроводника рассчитывается как сумма парциальных проводимостей от каждой из примесей.

Зависимость Р