Реферат: Розробка конструкції гібридної мікросхеми

Зміст

Вступ

Аналіз завдання

Вибір і техніко-економічне обґрунтування збільшеного технологічного процесу

Вибір матеріалів і компонентів

Розрахунок і обґрунтування конструкцій плівкових елементів

Розрахунок і обґрунтування розмірів плати

Розробка топології

Вибір корпусу

Висновок

Список використаної літератури

Вступ

Сучасний етап розвитку радіоелектроніки характеризується широким використанням інтегральних мікросхем в усіх радіотехнічних системах і апаратурі.

Це пов’язано з значним ускладненням вимог і задач, які вирішуються РЕА, що призвело до росту числа елементів в ній. В цих умовах важливого значення набувають проблеми підвищення надійності апаратури та її елементів і мініатюризації електрорадіоелементів та самої апаратури. Ці проблеми успішно вирішуються із застосуванням мікроелектроніки. Мікроелектроніка - це розділ електроніки, який охоплює дослідження та розробку якісно нового типу електронних апаратів, інтегральних мікросхем та принципів їх використання.

Мікроелектроніка характеризується тим, що замість виготовлення окремих деталей, з яких будується радіотехнічний пристрій чи апаратура, виготовляють окремі функціональні вузли - мікросхеми. Формування інтегральних мікросхем в мікро об’ємі твердого тіла здійснюється за рахунок використання досліджень фізики твердого тіла та електронного машинобудування на основі якісно нової технології.

Існує два основних метода створення інтегральних мікросхем:

метод локального впливу на мікро ділянки твердого тіла;

метод виникнення схем в твердому тілі завдяки нанесенню тонких плівок різних матеріалів на спільну основу з одночасним формуванням з них мікроелементів та їх з’єднань (плівок ІМС).

Гібридна інтегральна схема - це мікросхема, яка являє собою комбінацію плівкових пасивних елементів та дискретних активних компонентів, розташованих на спільній діелектричній підложці.

Аналіз завдання

Основна задача даної курсової роботи полягає в розробці конструкцій інтегральної мікросхеми і технологічного напрямку її виробництва згідно із заданою у технічному завданні принциповою електричною схемою.

Об’єкт проектування - гібридна мікросхема. В порівнянні із напівпровідниковими інтегральними схемами гібридні мікросхеми, із погляду виробництва, мають ряд переваг:

забезпечують широкий діапазон номіналів;

менші межі допусків і кращі електричні характеристики пасивних елементів.

В якості навісних компонентів в ГІС використовуються мініатюрні дискретні конденсатори, резистори, котушки індуктивності, дроселі, трансформатори.

В усному завданні навісними компонентами є транзистори.

Наявність певного числа контактних зварних з’єднань обумовлює меншу надійність ГІС у порівнянні із напівпровідниковою ІС. Проте можливість проведення попередніх іспитів і вибору активних і пасивних навісних компонентів дозволяє створити ГІС і мікрозбірки достатньо високої надійності.

В даній курсовій роботі об’єктом проектування є диференційний підсилювач К118УД1, який містить в собі шість резисторів і чотири транзистора.

Вихідні дані наведені в таблиці 1:

Таблиця 1.

Познач. на схемі	Найменування та тип	Данні	Кіл-ть	Прим.
R1, R5	Резистор 4к	4 мВт	2
R2	Резистор 1,8к	2,7мВт	1
R3	Резистор 4к	3,2 мВт	1
R4	Резистор 1,7к	2,5 мВт	1
R6	Резистор 5,7к	4,2 мВт	1
VT1	Транзистор КТ307Б	1	Навісний
VT2	Транзистор КТ307Б	1	Навісний
VT3	Транзистор КТ307Б	1	Навісний
VT4	Транзистор КТ307Б	1	Навісний

Технологія виготовлення даної мікросхеми - тонкоплівкова.

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--