Реферат: Розробка конструкції гібридної мікросхеми

Перевіримо правильність вибору матеріалу з погляду точності виготовлення резисторів.

Повна відносна похибка виготовлення плівкового резистора складається із суми похибок:

,

де - похибка відповідно коефіцієнта форми і відтворення розміру резистивної плівки;

- температурна похибка;

- похибка перехідних опорів контактів;

- похибка, обумовлена старінням плівки;

Похибка задана у вихідних даних та дорівнює .

Похибка коефіцієнта форми залежить від похибок геометричних розмірів резистора:

.

Похибка відтворення питомого поверхневого опору залежить від умов напилювання і матеріалу резистивної плівки. В умовах серійного виробництва її значення не перевищує 5%.

Температурна похибка залежить від ТКО матеріалу плівки:

Похибка обумовлена старінням плівки за рахунок повільної зміни структури плівки з часом і її окислювання. Вона залежить від матеріалу плівки й ефективності захисту, а також від умов збереження й експлуатації:

,

де - час,

- коефіцієнт старіння плівкового резистора, що визначає тимчасову нестабільність його опору.

.

Похибка перехідних опорів контактів визначається технологічними умовами напилювання плівок, питомим опором резистивної плівки і геометричними розмірами контактного переходу: довжиною перекриття і шириною резистора. Розмір .

Допустима похибка коефіцієнта форми:


Розраховане значення невід’ємне, а значить виготовити резистор необхідної точності з обраного матеріалу можливо.

Розрахунок і обґрунтування конструкцій плівкових елементів

Визначимо коефіцієнт форми для резисторів першої і другої групи і тип резистора (в залежності від ): для - резистор прямокутної форми типу „смужка”, у якого ; для - резистор прямокутної форми типу „смужка”, у якого ; для - резистор складної форми, складовий або меандр.

- резистор типу „смужка"

- резистор типу „смужка"

- резистор типу „смужка"

- резистор типу „смужка"

Для резисторів визначаємо мінімальну ширину резистора використовуючи умову: ,

К-во Просмотров: 193
Бесплатно скачать Реферат: Розробка конструкції гібридної мікросхеми