Е_п, В

Р_рас, Вт

Р_пот, Вт

I_ко, мА

U_кэо, В

, 

Резистивный каскад 26.6 3.168 9.363 352 9 13.7 Дроссельный каскад 9 1.584 1.584 176 9 40.4 Таблица 4.1 – Энергетические характеристики резистивного и дроссельного каскадов

Сравнивая энергетические характеристики двух каскадов, можно сделать вывод, что лучше взять дроссельный каскад, так как он имеет наименьшее потребление, напряжение питания и ток, а также более высокий КПД.

4.2 Выбор транзистора выходного каскада

Выбор транзистора осуществляется по следующим предельным параметрам:

предельный допустимый ток коллектора

; (4.12)

предельное допустимое напряжение коллектор-эмиттер

(4.13)

предельная мощность, рассеиваемая на коллекторе

; (4.14)

граничная частота усиления транзистора по току в схеме с ОЭ

. (4.15)

Требованиям (4.12), (4.13), (4.14) и (4.15) удовлетворяет транзистор КТ911А [3]. Основные технические характеристики этого транзистора приведены ниже.

Электрические параметры:

-граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ МГц;

-статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ ;

-постоянная времени цепи ОС при U_КБ=10В, I_Э=30мА _ОС=25пс

-емкость коллекторного перехода при В пФ.

Предельные эксплуатационные данные:

-постоянное напряжение коллектор-эмиттер В;

-постоянный ток коллектора мА;

-постоянная рассеиваемая мощность коллектора Вт;

-температура перехода .

4.3 Расчет эквивалентных схем транзистора

4.3.1 Расчет схемы Джиаколетто

Соотношения для расчёта усилительных каскадов основаны на использовании эквивалентной схемы транзистора, предложенной Джиаколетто, справедливой для области относительно низких частот [4].

Эквивалентная схема Джиаколетто представлена на рисунке 4.5.