Реферат: Широкополосный усилитель
Подставляя численные значения, по формулам (4.16) (4.22) проводим расчёт элементов схемы.
По формулам (4.17а) и (4.17б) пересчитаем ёмкость коллектора для напряжения, при котором измерена постоянная времени цепи обратной связи, а также для напряжения, равного напряжению в рабочей точке:
По формуле (4.16) производим расчет проводимости базы:
По формуле (4.18) производим расчет сопротивления эмиттерного перехода:
Проводимость база-эмиттер вычисляем согласно формуле (4.19):
По формуле (4.20) рассчитываем ёмкость эмиттера:
Крутизну внутреннего источника вычисляем по формулам (4.21) и (4.22):
4.3.2 Расчет высокочастотной однонаправленной модели
Однонаправленная модель справедлива в области частот более , где = ( - граничная частота коэффициента передачи тока, - статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером) [4].
Однонаправленная модель транзистора представлена на рисунке 4.6.
Рисунок 4.6 – Однонаправленная модель транзистора
Элементы схемы замещения, приведенной на рисунке 4.6, могут быть рассчитаны по следующим эмпирическим формулам [4].
Входное сопротивление:
(4.24)
где - сопротивление базы в схеме Джиаколетто (см. рисунок.4.5).
Выходное сопротивление:
(4.25)
где UКЭМАХ – предельное значение напряжения коллектор-эмиттер (*);
IКМАХ – предельное значение постоянного тока коллектора (*).
Подставляя в выражение (4.25) числовые значения, получаем:
Выходная ёмкость: