Реферат: Технология и эксплуатация САПР

Типовые проверочные задания по дисциплине

Технология и эксплуатация САПР

1 билет

1. Основные этапы технологии биполярных ИС.

Базовый процесс формирования биполярной интегральной схемы (ИС) может быть показан на примере формирования интегрального транзистора. Исходным материалом сослужит пластина Si с проводимостью p-типа. Последовательность технологических операций следующая:

а) Очистка пластины;

б) окисление;

в) фотолитография (ФЛ) для создания скрытого коллектора;

г) диффузия для создания скрытого коллектора;

д) снятие оксида;

е) осаждение эпитаксиального слоя Si n-типа;

ж) повторное окисление;

з) ФЛ для проведения диффузии в изолирующую область и область базы;

и) диффузия для создания базы и изолирующих областей;

к) окисление и ФЛ для создания области эмиттера;

л) диффузия для создания области эмиттера и замыкающего кольца;

м) первая ФЛ для создания n+ контактных областей к коллектору и эмиттеру;

н) вторая ФЛ для создания базовых диффузионных областей под контакты;

о) металлизация Al;

п) ФЛ для создания контактов, вжигание Al;

р) металлизация и ФЛ для создания межсоединений;

с) тестирование, скрайбирование, сборка, герметизация.

2. Технология изготовления шаблонов электронно-лучевой литографии.

Разрешающая способность ФЛ достигла теоретического предела, равного ширине линий 0,8-1 мкм. Для создания субмикронных размеров линий необходимо переходить к другим методам облучения резистов, используя другие длины волн излучения, например, электронами. Эти методы объединены общим названием - элионная технология. Она позволяет расширить пределы ФЛ за счет более высокой разрешающей способности. Используя присущую электронно-лучевой литографии (ЭЛЛ) повышенную разрешающую способность можно сразу изготовить эталонный шаблон (ЭШ) (с рабочими размерами ИС) без обязательных для ФЛ операций фотоуменьшения. Последовательность технологических операций при изготовлении ЭШ методами ЭЛЛ следующая:

- разработка топологии ИС на ЭВМ;

- преобразование информации в цифровую форму (занесение на магнитные носители);

- передача информации на электронно-лучевой генератор

изображения;

- экспонирование электронным лучом электронрезиста;

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--