Реферат: Технология и эксплуатация САПР
- травление и снятие резиста.
При использовании ЭЛЛ сокращается время экспонирования, исключается ряд критических операций, к примеру, многократное совмещение промежуточного фотошаблона. ЭЛЛ позволяет формировать на одном шаблоне структуры с различной топологией. Она обеспечивает меньшую плотность дефектов и лучшую воспроизводимость ширины линий рисунка топологии ИС.
2 билет
1. Назначение и методы литографии.
_Литография .- процесс создания защитной маски, необходимой для локальной обработки при формировании структуры ИС по планарной технологии. Литография основана на свойствах стойкого к последующим технологическим воздействиям материала - резиста, способного менять необратимо свои свойства под воздействием облучения с определенной длиной волны. При этом слой резиста наносят на поверхность, подвергающуюся локальной обработке, и облучают его через специально предназначенный для этих целей шаблон. В результате химической обработки при проявлении с отдельных участков резист удаляется, а оставшийся на поверхности резист используют как маску.
В зависимости от длины волны 7l 0применяемого облучения различают оптическую (фото) ( 7l 0=300-400нм), электронную ( 7l 0-0,1нм), рентгеновскую ( 7l 0=0,1-1нм), ионно-лучевую ( 7l 0=0,05-0,1нм) литографию.
2. Технология биполярных ИС с комбинированной изоляцией по этой технологии обеспечивается формирование элементов ИС с изоляцией p-n-переходом их горизонтальных участков и диэлектриком вертикальных боковых областей (SiO 42 0и Si 43 0N 44 0).
Основными процессами этой технологии являются:
а) изопланарная технология;
б) эпипланарная;
в) полипланарная.
Рассмотрим изопланарный процесс. Он основан на использовании Si пластин с тонким эпитаксиальным слоем, селективного термического окисления Si на всю глубину эпитаксиального слоя вместо разделительной диффузии. При этом используются специфические свойства Si 43 0N 44 0на первых стадиях формирования структуры ИС. Эта технология позволяет создавать тонкие базовые области и малые коллекторные области с оксидными боковыми стенками, т.е. позволяет формировать структуры малых размеров и высокого быстродействия. Последовательность формирования структуры ИС по одной технологии следующая:
- наращивание на пластине Si p-типа с эпитаксиальным слоем n-типа и скрытым n+ слоем слоя Si 43 0N 44 0;
- ФЛ окон по изолирующие области;
- травление эпитаксиального слоя Si;
- заполнение вытравленных канавок слоем SiO 42 0;
- удаление нитрида кремния;
- формирование в локальных областях кремния n типа транзисторных структур.
3 билет
1. Металлизация полупроводниковых структур.
Металлизация - процесс создания внутрисхемных соединений. В полупроводниковых ИС их выполняют с помощью тонких металлических пленок, нанесенных на изолирующий слой оксида кремния. Чаще всего для металлизации используется Al. Также используются Ni, Cr, Au.
Последовательность получения внутрисхемных соединений следующая:
- вскрытие окон в слое оксида под контакты;
- напыление сплошной пленки Al;
- нанесение фоторезиста;
- фотолитография;
- травление Al;
- удаление фоторезиста.
Затем пластина подвергается термообработке для получения