1) Необходимое напряжение питания:

Е_п =U_{R э} +U_кэ0 +I_к0* R_к (3.21)

Значение источника питания необходимо выбирать из стандартного ряда, поэтому выберем напряжение U_{R э} с учетом того, что Е_п =10В, R_к =0Ом:

2)Напряжение на Rэ:

U_{R э} =E_п -U_кэ0 +I_к0* R_к =10В-6В=4В (3.22)

3) Сопротивление эмиттера:

(3.23)

4) Напряжение на базе транзистора:

U_б =U_{R э} +0,7В = 4,7В (3.24)

5) Базовый ток транзистора:

Iб= (3.25)

6) Ток делителя:

Iд=5×Iб=5,5мА, (3.26)

где Iд – ток, протекающий через сопротивления Rб1 и Rб2.

Сопротивления делителей базовой цепи:

7) Rб1= (3.27)

8) Rб2= (3.28)

Наряду с эмиттерной термостабилизацией используются пассивная и активная коллекторные термостабилизации.

3.3.2 Пассивная коллекторная термостабилизация

Данный вид термостабилизации (схема представлена на рисунке 3.4) используется на малых мощностях и менее эффективен, чем две другие, потому что напряжение отрицательной обратной связи, регулирующее ток через транзистор подаётся на базу через базовый делитель.

Рисунок 3.4 - Схема пассивной коллекторной термостабилизации

Расчет заключается в выборе U_{R к} и дальнейшем расчете элементов схем по формулам:

Выберем URк=5В;

1) Е_п = URк + U_кэ0 =5В+6В=11В, (3 29)

где URк - падение напряжения на Rк.

2) Сопротивление коллектора:

(3.30)

3) Сопротивление базы: Rб= (3.31)

4) Ток базы:

(3.32)