Шпаргалка: Электронные цепи и приборы (шпаргалка)

Мы знаем, в р -области дырок много, а в п -области их мало, и соответственно в п -области электронов много, а в р -области их мало. В результате такой разности концентрации возникает процесс диффузии. В результате чего возникают диффузионные токи дырок и электронов. Эти токи явл. токами основных носителей зарядов. Дырки из р -области переходят в п -область и рекомбинируют с электронами. Также электроны переходят из п -области в р -область и рекомбинируют с дырками. В рез. в р-п переходе образуется слой без подвижных носителей заряда, имеющий большое R , и кот. называется запирающим слоем. В этом слое имеются только отриц. заряды ионов, кот. создают отрицательный заряд –q , и положительный заряд ионов +q . Эти заряды создают эл. поле E_вн , направленное от + к – с отриц. потенциалом в р -области и положит. потенциалом в п -области. Эта разность потенциалов наз. контактной разностью потенциалов.

Эти заряды +q и –q препятствуют дальнейшему прохождению основных носителей ч/з р-п переход. Дырки отталкиваются от +q , а электроны отталкиваются от –q . Т.е. процесс диффузии приостанавливается и I_диф дальше не растет. Поэтому мы говорим, что в р-п переходе возникает потенциальный барьер для основных носителей. В то же время эти объемные заряды +q и –q своим эл. полем Е действуют ускоряюще на неосновные носители зарядов (электроны из р -области притягиваются к +q, а дырки из п -области к –q ). В результате неосновные носители под действием эл. поля Е легко перейдут ч/з р-п переход и создадут дрейфовые токи. Дрейфовые токи – это токи неосновных носителей. В какой-то момент времени дрейфовый и дифф. ток ч/з р-п переход становятся равными и противоположными, тогда I_общ =I_др +I_диф =0 .

Энергетическая диаграмма р-п перехода в состоянии термодинамического равновесия.

4. Переход металл-полупроводник.

Уровни энергии валентных электронов образуют валентную зону (ВЗ), а следующий уровень энергии, находящийся выше ВЗ образ. зону проводимости (ЗП). ЗП и ВЗ разделены запрещенной зоной (ЗЗ), ширина кот. различна у разных материалов.

У проводников-металлов – ВЗ заполнена частично, электроны занимают нижнюю часть зоны, а верхние уровни ВЗ не заполнены. Под действием слабого внешн. электр. поля валентные электроны приобрет. доп. энергию – кинетическую, заполняя в ВЗ занятые более высокие уровни энергии. Это означает, что электроны под действ. электр. поля приобрет. скорость и участвуют в перенесении электр. заряда, т.е. протекает электрический ток. Возможна и другая зонная структура проводника, при кот. ВЗ целиком заполнена валентными электронами, но ВЗ и ЗП перекрываются, т.е. ЗЗ отсутствует. В этом случае электроны под действием электр. поля могут приобретать дополнительную кинетич. энергию, занимая свободные уровни энергии в ЗП. Валентные электроны в металле принадлежат одновременно всем атомам кристалла и явл. свободными носителями заряда.

Если ВЗ заполнена целиком и ширина ЗЗ не равна 0, то валент. электроны не могут приобретать дополнит. кинетич. энергию и не явл. свободными. Если же вал. электрону собщить энергию, способную преодолеть ЗЗ, то он переходит из ВЗ на один из незанятых уровней ЗП и станов. свобод. носителем заряда. Одновременно в ВЗ появляется один свобод. уровень, соответствующий дырке, что позволяет электронам ВЗ перемещаться. Переход электрона из ВЗ в ЗП может произойти под действием тепловой энергии или какого либо другого источника энергии.

Если ширина ЗЗ относительно велика то тепловой энергии электронов недостаточно, чтобы перейти им из ВЗ в ЗП. Свободных носителей заряда в таких материалах нет и их относят к диэлектрикам.

5. p-n переход при прямом смещении.

Электронно-дырочным p-n наз. такой переход, кот. образован двумя областями ПП с разными типами проводимости: электронный и дырочный. Включение при кот. к p-n переходу прикладывается внешн. напряж. U_пр в противофазе с контактной разностью потенц. наз. прямым (см. рис. 1.). Как видно из потенциальной диаграммы (рис. 2) высота потенциального барьера уменьшается:

U_б =U_к -U_пр

Ширина p-n перехода также уменьшается h’<h . Дрейфовый ток уменьшается, диффузионный ток резко возрастает. Динамическое равновесие нарушается и ч/з p-n переход протекает прямой ток:

I_пр =I_диф - I_др ≈ I_диф =I_обр ехр·(q_e U_пр / кТ).

Из формулы видно, при увелич. U_пр ток может возрасти до больших значений, т.к. он обусловлен движением основных носителей, концентрация которых в обеих областях ПП велика.

рис. 1.

ВАХ p-n перехода наз. зависимость тока, протекающего ч/з p-n переход, от величины и полярности приложенного U . Аналитич. выраж. ВАХ p-n перехода имеет вид:

I=I_обр [ехр· (q_e U / кТ )-1 ], где I_обр – обратный ток насыщения p-n перехода, U – напряж., приложенное к p-n переходу

Хар-ка, построенная с использованием этого выражения, имеет 2 характерных участка (рис. 2).

рис. 2.

1. участок соответствующий прямому управляющему напряжению; 2. участок соответствующий U_обр .

При больших U_обр наблюдается пробой p-n перехода, при кот. I_обр резко увеличивается. Различают два вида пробоя: электрический и тепловой.

6. p-n переход при обратном смещении. Пробой p-n перехода.

Электронно-дырочным p-n наз. такой переход, кот. образован двумя областями ПП с разными типами проводимости: электронный и дырочный.

Включение, при кот. к p-n переходу прикладывается внешнее напряж. U_обр в фазе с контактной разностью потенциалов, наз. обратным (рис. 1.).