Дипломная работа: Исследование и разработка методов и технических средств и измерения для формирования статистических высококачественных моделей радиоэлементов

- простота модели, так как простая модель более предпочтительна в отношении сокращения времени вычислений.

2.4 Модели ДП

2.4.1 Компонентные модели ДП

ДП представляют собой широкий класс РК, который в самом общем случае можно подразделить на пассивные линейные (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности), нелинейные пассивные (обычные диоды, варисторы, варикапы и т.п.), активные (туннельные диоды, диоды Ганна) и специального назначения (терморезисторы,, тензорезисторы, фоторезсторы, фотодиоды, светодиоды, LC-структуры и т.п.). Особое положение ДП как компонентов РЭС заключается в том,что на их основе моделируют сложные устройства, в том числе и модели более сложных РК. В этой связи адекватное описание моделей ДП имеет определяющее значение.

Модели двухполюсников подразделяют на компонентные в виде эквивалентных схем и факторные [8] аналитические макромодели в виде системы уравнений. Компонентные модели имеют относительно ограниченное применение. К ним относятся R, L, С. компоненты, в которых не учитывают паразитные параметры. Это встроенные модели, номиналы которых задаёт пользователь.

Остальные аналоговые РК, в том числе R, L, С на высоких частотах, рассматривают в виде компонентных (R, L, С) или аналитических (диод, магнитный сердечник) макромоделей. Основой компонентной модели является эквивалентная схема РК, элементы которой определяют физические процессы, проходящие в конкретном РК. При таком моделировании основная проблема заключается в точном определении значений элементов эквивалентной схемы.

Развитие модели резистора в область высоких частот показано на рисунке 2.5, из которого очевидно весьма существенное усложнение модели при переходе в область СВЧ диапазона. Модели конденсатора и кварцевого резонатора также могут, представлены в виде компонентных.

Компонентная модель высокочастотного конденсатора приведена на рисунке 2.7.

Частоты f_nocjt последовательного и f_nap параллельного резонансов рассчитываются по формулам

При расчёте модели учитывают также (xlтемпературный коэффициент экви­валентной индуктивности кварцевого резонатора (КР). Остальные параметры (Q, r_k , Ck) определяются только типом резонатора и не зависят от частоты.

Типичным представителем нелинейного пассивного ДП является полупроводниковый диод, компонентная схема которого в системе Pspice приведена на рисунке 2.9, где R - объёмное сопротивление; С - ёмкость р-n перехода; I(U) - ток р-n пере­хода; Ud - падение напряжения на диоде; U - парение напряжения на р-n переходе.

Зависимость I(U), определяющая ВАХ диода рассматривают по методике, предложенной Эберсом-Моллом [6] в прямом направлении по формуле

Емкость C(U) рассматривают как функцию напряжения на р-n переходе и представляют в виде суммы барьерной С_б и диффузионной С_ДИ ф составляющих

с(и)=С₆ + С_диф , (2.30)

( \~^М

C₆ (U) = C_G - 1-— np_H U<F_c 'U_{k ;} (2.31)

V^U k )

С,_аф (и) = С₀ -(\-Р_с )-^(им} - l-F_c (\ + M)+^- npHU>F_c -U_k , (2.32)

^U k

где М - коэффициент лавинного размножения;

F_c — коэффициент нелинейности барьерной ёмкости прямосмещённого перехода.

Модель также учитывает явление пробоя и температурные зависимости семи параметров:

I_s - тока насыщения;

Tsr - параметра рекомбинации;

Ikf- предельного тока при высоком уровне инжекции;

В_и - обратного напряжения пробоя;

R_s - объёмное сопротивление;

Uk - контактной разности потенциалов;

Со - барьерной ёмкости при нулевом смещении перехода.

Однако в реальных моделях пользователю представляется возможным учитывать только температурную зависимость параметра I_s [8]. Остальные температурные зависимости не учитывают, обнуляя по умолчанию соответствующие температурные коэффициенты.

Линейная модель диода, представляющая собой линейную схему замещения в рабочей точке, показана на рисунке 2.10, где: R - объёмное сопротивление; С(Ц) -ёмкость р-п перехода в i- ой рабочей точке; Uj - напряжения на р-n переходе в i- ой рабочей точке; 1,2 - узлы подключения.