Дипломная работа: Рассеяние электронной плотности в металлах и ионных кристаллах по рентгенографическим данным

, (1.2.18)

Значение электростатического потенциала, созданного электронами, получается умножением φ (R ) на заряд электрона -е . Потенциал ядер в произвольной точке ячейки V находится суммированием кулоновских потенциалов отдельных ядер. Выражение для потенциала ядер имеет следующий вид:

(1.2.19)

где A ₁ , А ₂ даются выражениями (1.2.18). Полный потенциал решетки находится суммированием eφ (R ) и V (R ), т. е.

(1.2.20)

Используя формулы (1.2.19), а также значения z_i и найденные значения α_i ² , для потенциала кристаллической решетки получают следующее выражение:

(1.2.21)

где А_j даются выражениями (1.2.18)

Аналогичные вычисления для электронной плотности дают следующее выражение:

(1.2.22)

Глава 2. Неупругое рассеяние рентгеновских лучей веществом

2.1 Импульсная аппроксимация

Комптон-эффект исследовался многими учеными в практическом и теоретическом план