Дипломная работа: Разработка детектора высокочастотного излучения
КМ597СА2;
LM324.
Оценку этих компонентов будем проводить по таким параметрам:
средний входной ток Iвх ;
выходной ток Iвых ;
коэффициент усиления Кv ;
напряжение питания Uпит ;
При помощи матрицы параметров выбираем какая микросхема больше подходит для разрабатываемого устройства.
Таблица 5.1.1 Параметры выбираемых микросхем [6-9]
параметры |
Iвх, мкА |
Iвых, мА | Кv |
Uпит, В |
| - | + | + | - | |
| К554СА1 | 75 | 0.5 | 75∙103 | 9 |
| КМ597СА2 | 10 | 5 | 150∙103 | 9 |
| LM324 | 0.05 | 20 | 25∙106 | 9 |
| b (коэфициент важности) | 0.25 | 0.25 | 0.25 | 0.25 |
Составляем матрицу параметров:
75 0.5 75∙103 9
Х = 10 5 150∙103 9
0.05 20 25∙106 9
Строим матрицу приведенных параметров, используя формулу (1.1):
0.013 0.5 75∙103 0.11
Y= 0.1 5 150∙103 0.11
20 20 25∙106 0.11
После этого параметры матрицы Y нормируют по формуле (1.2):
0.999 0.975 0.997 0
А = 0.995 0.75 0.994 0
0 0 0 0
По формуле (1,3) находим значения оценочной функции: