Курсовая работа: Дрейфовые транзисторы их параметры, преимущества и недостатки
Распределение электрического поля и концентрация дырок в эмиттере.
Рис.2.2.1
Примерное распределение Ер (х) в квазиэлектронейтральной области эмиттера показано на рис. 2.2.1,а. Без учета сужения запрещенной зоны Ep1 определяется кривой 1, а с учетом — кривой 2. Обычно при низком уровне инжекции тормозящее электрическое поле достаточно велико, и дырки, диффундирующие против поля, проникают в эмиттер на небольшое расстояние, на котором Ер мало изменяется. Для оценочного расчета р(х) будем полагать, что на этом расстоянии электрическое поле Ер , коэффициент диффузии дырок Dp и их время жизни τр постоянны и соответствуют значениям, рассчитанным при х=х1 Э . Подставив (2.2.23) в уравнение непрерывности для дырок[4]
(2.2.25)
получим для стационарного режима
(2.2.26)
где
— диффузионная длина дырок.
Приближенное решение этого дифференциального уравнения имеет вид
(2.2.27)
где рпэ ==р(х1Э )) — концентрация дырок при х=х1э (рис. 2.2.1,6).
В этом случае характеристическая длина L*, на которой концентрация дырок спадает в е раз, называется диффузионной длиной против поля. Она определяется выражением
(2.2.28)
где ηЭ =Ep Lp /φT
фактор поля; функция
, при ηЭ »1.
Таким образом, при низком уровне инжекции дырочный ток эмиттера (при x=x1Э ) определяется выражением
(2.2.29)
Учитывая, что 
, окончательно можно записать
(2.2.30)
(2.2.31)
Полученные выражения позволяют определить коэффициент передачи тока базы для нормального активного режима. Ток базы транзистора
(2.2.32)
где первые две составляющие тока базы определяются выражениями (2.2.19), (2.2.30), (2.2.31) , а третья (связана с рекомбинацией в ОПЗ) в соответствии с[4]
(2.2.33)
Интегральный коэффициент передачи тока базы
(2.2.34)
Подставив в (2.2.34) выражения (2.2.19), (2.2.30), (2.2.31), (2.2.33) и (2.2.11) и выполнив необходимые преобразования[4], получим
(2.2.35)
где IRS =I2 R) /IЭns —характеристический ток влияния рекомбинации носителей заряда в ОПЗ эмиттера.