Курсовая работа: Основы проектирования интегральных микросхем широкополосного усилителя

Задание на курсовое проектирование

Тема: Основы проектирования интегральных микросхем широкополосного усилителя

Срок представления проекта к защите –

Исходные данные для проектирования

Схема электрическая принципиальная, таблица электрических параметров элементов усилителя

Содержание пояснительной записки курсового проекта:

Выбор физической структуры полупроводниковой ИМС на БП-транзисторах

Расчёт геометрических размеров элементов ИМС

Разработка эскиза топологии ИМС широкополосного усилителя

Перечень графического материала:

Эскиз топологии ИМС широкополосного усилителя

Руководитель проекта _________________________

Задание принял к исполнению ________________________

Реферат

Пояснительная записка содержит 30 страниц, 3 рисунка, 4 использованных источников, 1 приложение.

Перчень ключевых слов: принципиальная схема, широкополосный усилитель, расчет геометрических размеров, эскиз топологии.

Объект разработки: топология ИМС широкополосного усилителя.

Цель работы: расчет геометрических размеров элементов схемы усилителя, конструирование эскиза топологии.

Методы разработки: конструирование эскиза топологии с помощью пакета программ AutoCAD.

Полученные результаты: библиотека элементов усилителя, эскиз топологии в формате AutoCAD.

Степень внедрения: не внедрено.

Область применения: не применяется.

Основные конструктивные и технико-эксплуатационные характеристики: количество слоев в кристалле – 6, количество элементов в принципиальной схеме –20 элементов, из них: 9 n-p-n транзистора, 9 резисторов.

Содержание

Введение

1. Общие принципы построения топологии биполярных ИМС

1.1 Выбор физической структуры разрабатываемой ИМС

2 Проектирование и расчет геометрических размеров элементов ИМС

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--